[TiMing]：MaiChongYangJiDengLiZiTiJinMeiZhuRu
[申请号]：98104114[公开号]：1198072
[公告号]：0000000[申请日期]：19980109
[公开日期]：19981104[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[申请人]：艾克塞利斯技术公司
[ShenQingRen]：AiKeSaiLiSiJiShuGongSi
[国家省市]：美国(US)
[地址]：美国马萨诸塞州
[DiZhi]：MeiGuoMaSaZhuSaiZhou
[邮编]：
[发明人]：A·S·德诺姆;J·沙奥 [FaMingRen]：A·S·DeNuoMu、J·ShaAo
[代理人]：林长安 [DaiLiRen]：LinChangAn
[代理机构]：中国专利代理(香港)有限公司(72001)[代理地址]：香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()
[审批历史]：
[页数]：6[附图]：4[优先权]： 美国1997年1月9日780808[PCT]：[范畴]：38A23E[权利要求]：
一种使用离子碰撞工件表面而处理工件表面的方法，包括步骤： ａ）提供有室内部（２４）的注入室（１２），把支撑一个或多个工件（１４）的导电工件支架（３０）置于室内部，还把导电电极相对工件支架放置，以使
[权利要求数]：27
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 用离子碰撞工件注入表面来处理工件注入表面的方法和装置。注入室（１２）确定了能插入一个或多个工件的室内部，并包含靠近室内部的导电内壁部分（２２）。导电工件支架（３０）伸入注入室内部区域。导电电极（３２）相对所述导电工件支架被配置在所述注入室内，允许工件被放置在支架和导电电极之间区域（３４）的工件支架上。在注入室中射入气体分子使气体分子占据注入室中紧靠一个或多个工件的区域。
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