[TiMing]：PengSuanLvJingXuBiaoMianDanHuaWuBaoHuCengDeZhiZaoFangFa
[申请号]：200410017859[公开号]：1563512
[公告号]：0000000[申请日期]：20040422
[公开日期]：20050112[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：C23C8/24;C30B29/22;C30B29/62;C30B33/00
[申请人]：上海交通大学
[ShenQingRen]：ShangHaiJiaoTongDaXue
[国家省市]：上海(31)
[地址]：上海市闵行区东川路800号
[DiZhi]：ShangHaiShiZuoXingQuDongChuanLu800Hao
[邮编]：200240
[发明人]：毕刚;王浩伟;吴人洁 [FaMingRen]：BiGang、WangHaoWei、WuRenJie
[代理人]：王锡麟;王桂忠 [DaiLiRen]：WangXiZuo,WangGuiZhong
[代理机构]：上海交通大学专利事务所(31201)[代理地址]：上海市华山路1954号(200030)
[审批历史]：
[页数]：5[附图]：0[优先权]：[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
一种硼酸铝晶须表面氮化物保护层的制造方法，其特征在于，利用硼酸铝晶须自身所具有的硼元素，经氮化处理在晶须表面原位自生成氮化保护层，或在硼酸铝晶须表面包覆氮化活性氧化物，氧化物经氮化处理后形成惰性的氮
[权利要求数]：2
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 一种硼酸铝晶须表面氮化物保护层的制造方法，用于复合材料领域。利用硼酸铝晶须自身所具有的硼元素，经氮化处理在晶须表面原位自生成氮化保护层，或在硼酸铝晶须表面包覆氮化活性氧化物，氧化物经氮化处理后形成惰性的氮化物，作为晶须保护层，或使用可进行气相氮化反应的硼化物，经氮化处理在硼酸铝晶须表面沉积惰性的氮化硼保护层。本发明制备工艺简便实用，得到的晶须惰性氮化物保护层稳定，性能优良，且与硼酸铝晶须有着良好的物理和化学上的相容性；制备工艺不损伤硼酸铝晶须，可保持晶须的完整性，不会降低晶须在复合材料中的增强效果。本发明工艺已成功应用于金属基复合材料之中，并取得良好效果。
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