磁存储器CiCunChuQi

[TiMing]：CiCunChuQiCiCunChuQi

[申请号]：03102766[公开号]：1433020

[公告号]：0000000[申请日期]：20030116

[公开日期]：20030730[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：G11C11/02;H01L43/08

[申请人]：株式会社东芝

[ShenQingRen]：ZhuShiHuiSheDongZhi

[国家省市]：日本(JP)

[地址]：日本东京都

[DiZhi]：RiBenDongJingDu

[邮编]：

[发明人]：岸逹也;天野実;齐藤好昭;高橋茂樹;西山勝哉;浅尾吉昭;與田博明;上田知正;岩田佳久  [FaMingRen]：AnZuoYe、TianYe、QiTengHaoZhao、GaoMao、XiShanZai、QianWeiJiZhao、NingTianBoMing、ShangTianZhiZheng、YanTianJiaJiu

[代理人]：王永刚  [DaiLiRen]：WangYongGang

[代理机构]：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)[代理地址]：北京市阜成门外大街2号8层(100037)

[审批历史]：

[页数]：37[附图]：14[优先权]：    日本2002年1月16日007878/2002[PCT]：[范畴]：40C[权利要求]：
    一种磁存储器，其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件；    在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线；    根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的

[权利要求数]：26

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件（２１）；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线（２２、２３）；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心（Ｇ）比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点（Ｃ）更向所述磁阻效应元件的方向偏心。

[相关文献]：更多相似文献

[下一条]：永磁同步电机驱动系统和永磁同步电机驱动系统测试方法