微波等离子体源离子注入装置

[TiMing]：WeiBoDengLiZiTiYuanLiZiZhuRuZhuangZhi

[申请号]：92111983[公开号]：1087128

[公告号]：0000000[申请日期]：19921116

[公开日期]：19940525[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：C23C14/22;C23C14/48

[申请人]：四川大学

[ShenQingRen]：SiChuanDaXue

[国家省市]：四川(51)

[地址]：四川省成都市九眼桥

[DiZhi]：SiChuanShengChengDuShiJiuYanQiao

[邮编]：610064

[发明人]：郭华聪  [FaMingRen]：GuoHuaCong

[代理人]：刘金蓉  [DaiLiRen]：LiuJinRong

[代理机构]：四川大学专利事务所(51200)[代理地址]：四川省成都市九眼桥川大内老滨江楼59号(610064)

[审批历史]：    1996年3月6日视撤日

[页数]：6[附图]：2[优先权]：[PCT]：[范畴]：25F[权利要求]：
    微波等离子体离子注入装置，包括有靶室［１］、真空系统［２］，供气系统［３］，其特征是至少有一组工作源［４］，［５］，［６］，［７］，每组工作源至少有一个微波等离子体源［４］，工作源以工件［１６］为中

[权利要求数]：5

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 微波等离子体源离子注入装置，是一种用于离子注入材料表面改性的设备。它由靶室［１］、真空系统［２］、供气系统［３］和一组或多组工作源［４，５，６，７］组成。每组工作源包括一个或多个微波等离子体源［４］和（或）一个或多个材料溅射源［５，６，７］，微波等离子体源用横磁瓶电子回旋微波等离子体源；材料溅射源可以用磁控溅射源［５］、微波等离子体溅射源［６］或真空电弧装置［７］。在工作真空度１０↑［－２］－１０↑［－３］Ｐａ时，工件上接直流、交流或脉冲高压电源［８，１４，１５］，装置可进行离子注入、离子束动态混合，在工件表面形成优良的保护涂层。

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