金属等离子体源离子注入方法及装置

[TiMing]：JinShuDengLiZiTiYuanLiZiZhuRuFangFaJiZhuangZhi

[申请号]：92113717[公开号]：1087131

[公告号]：1030777[申请日期]：19921120

[公开日期]：19940525[公告日期]：00000000

[授权日期]：19951029

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：C23C14/32;C23C14/48

[申请人]：哈尔滨工业大学

[ShenQingRen]：HaErBinGongYeDaXue

[国家省市]：哈尔滨(93)

[地址]：黑龙江省哈尔滨市西大直街166号

[DiZhi]：HeiLongJiangShengHaErBinShiXiDaZhiJie166Hao

[邮编]：150006

[发明人]：夏立芳  [FaMingRen]：XiaLiFang

[代理人]：黄锦阳  [DaiLiRen]：HuangJinYang

[代理机构]：哈尔滨工业大学专利事务所(23200)[代理地址]：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号(150001)

[审批历史]：    1999年1月13日因费用终止日

[页数]：6[附图]：2[优先权]：[PCT]：[范畴]：25F[权利要求]：
    一种金属等离子体源离子注入的方法，其特征在于该方法包括下列步骤：将工件放在加有磁场的密闭真空室内，其真空度为５×１０↑［－１］～５×１０↑［－３］Ｐａ，磁场为封闭的磁场，磁场强度为１０００－３０００

[权利要求数]：7

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 本发明涉及金属等离子体源离子注入的方法及装置，主要特征是在加有封闭磁场的真空室内激发金属等离子体并施加负高压脉冲。本发明装置为一个具有封闭磁场的真空室，真空室外设灯丝电源、热电子发射电源和高压脉冲电源及磁条；室内设工作台或支架，阴极靶，灯丝等装置。采用本发明，可以对工件进行全方位的离子注入或离子混合注入，适用于各种机器零件、工模具、半导体器件及宝石和非金属材料。

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