[TiMing]：KeGaiShanTongJinShuCengJieGouDeBiaoMianChuLiFangFaKeGaiShanTongJinShuCengJieGouDeBiaoMianChuLiFangFa
[申请号]：200410030981[公开号]：1536645
[公告号]：0000000[申请日期]：20040401
[公开日期]：20041013[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：H01L21/3205;H01L21/768
[申请人]：台湾积体电路制造股份有限公司
[ShenQingRen]：TaiWanJiTiDianLuZhiZaoGuFenYouXianGongSi
[国家省市]：台湾(71)
[地址]：台湾省新竹科学工业园区
[DiZhi]：TaiWanShengXinZhuKeXueGongYeYuanQu
[邮编]：
[发明人]：柯亭竹;蔡明兴 [FaMingRen]：KeTingZhu、CaiMingXing
[代理人]：黄健 [DaiLiRen]：HuangJian
[代理机构]：北京三友专利代理有限责任公司(11127)[代理地址]：北京市北三环中路40号(100088)
[审批历史]：
[页数]：8[附图]：4[优先权]： 美国2003年4月3日10/407,129[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
一种可改善铜金属层结构的表面处理方法，其特征在于，包括下列步骤： （ａ）提供一表面具有介电层的半导体基底，且所述介电层形成有一沟槽； （ｂ）于所述介电层表面及沟槽表面依序形成一顺应性的阻
[权利要求数]：2
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 本发明涉及一种可改善铜金属层结构的表面处理方法，包括下列步骤：（ａ）提供一表面具有介电层的半导体基底，且所述介电层形成有一沟槽；（ｂ）在所述介电层表面及沟槽表面依序形成一顺应性的阻障金属层及铜晶种层；（ｃ）施行一旋转喷洒程序，在所述铜晶种层表面形成一液态活化层以活化所述铜晶种层表面；以及（ｄ）施行一电镀程序，以在所述铜晶种层表面形成一铜金属层并填满所述沟槽。利用本发明的方法将可改善所形成的铜金属层结构，减少铜金属层内部缺陷的出现。
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[下一条]：灰色调掩模的缺陷检查方法和灰色调掩模的制造方法
