[TiMing]：GuiBiaoMianFuZaSanWeiWeiJieGouDeJiaGongFangFaJiQiZhuangZhi
[申请号]：200410037771[公开号]：1569610
[公告号]：0000000[申请日期]：20040512
[公开日期]：20050126[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：B81C5/00;C01B33/021
[申请人]：厦门大学
[ShenQingRen]：XiaMenDaXue
[国家省市]：厦门(92)
[地址]：福建省厦门市思明南路422号
[DiZhi]：FuJianShengXiaMenShiSiMingNanLu422Hao
[邮编]：361005
[发明人]：时康;张力;祖延兵;蒋利民;周勇亮;田中群 [FaMingRen]：ShiKang、ZhangLi、ZuYanBing、JiangLiMin、ZhouYongLiang、TianZhongQun
[代理人]：马应森 [DaiLiRen]：MaYingSen
[代理机构]：厦门大学专利事务所(35200)[代理地址]：福建省厦门市厦门大学内(361005)
[审批历史]：
[页数]：7[附图]：2[优先权]：[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
硅表面复杂三维微结构加工方法，其特征在于其步骤为： １）．将带有待加工结构互补结构的模板固定于固定架上； ２）．将电化学刻蚀溶液注入放置有待加工的硅片的容器； ３）．移动固定架，使
[权利要求数]：1
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构（如半球面、锥面等）的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约１０微米深度的速度，分辨率达０．１微米以上。
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