硅氧烷基的树脂和使用其制造的半导体器件的层间绝缘膜GuiYangWanJiDeShuZhiHeShiYongQiZhiZaoDeBanDaoTiQiJianDeCengJianJueYuanMo

[题名]：硅氧烷基的树脂和使用其制造的半导体器件的层间绝缘膜GuiYangWanJiDeShuZhiHeShiYongQiZhiZaoDeBanDaoTiQiJianDeCengJianJueYuanMo

[TiMing]：GuiYangWanJiDeShuZhiHeShiYongQiZhiZaoDeBanDaoTiQiJianDeCengJianJueYuanMoGuiYangWanJiDeShuZhiHeShiYongQiZhiZaoDeBanDaoTiQiJianDeCengJianJueYuanMo

[申请号]：200410047406[公开号]：1572816

[公告号]：0000000[申请日期]：20040527

[公开日期]：20050202[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：C08G77/04;H01B3/46

[申请人]：三星电子株式会社

[ShenQingRen]：SanXingDianZiZhuShiHuiShe

[国家省市]：韩国(KR)

[地址]：韩国京畿道

[DiZhi]：HanGuoJingZuoDao

[邮编]：

[发明人]：柳利烈;林珍亨;柳俊城;宋其熔  [FaMingRen]：LiuLiLie、LinZhenHeng、LiuJunCheng、SongQiRong

[代理人]：张平元;赵仁临  [DaiLiRen]：ZhangPingYuan,ZhaoRenLin

[代理机构]：柳沈知识产权律师事务所(11105)[代理地址]：北京市朝阳区北辰东路8号汇宾大厦A0601(100101)

[审批历史]：

[页数]：12[附图]：0[优先权]：    韩国2003年6月2日35276/03[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
    一种硅氧烷基树脂，其是在有机溶剂中及，在酸或碱催化剂和水存在下，通过水解和缩聚下面式（１）的第一单体与下面式（２）的第二单体而制备的：　　　　＊＊＊　　（１）　　　　式中，　　　　Ｒ↓［１］为Ｈ、Ｃ

[权利要求数]：2

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体器件的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能、耐热性和耐裂性之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。

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