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半导体装置BanDaoTiZhuangZhi

[题名]:半导体装置BanDaoTiZhuangZhi

[TiMing]:BanDaoTiZhuangZhiBanDaoTiZhuangZhi

[申请号]:200410055746[公开号]:1578082

[公告号]:0000000[申请日期]:20040728

[公开日期]:20050209[公告日期]:00000000

[授权日期]:00000000

[专利类型]:发明专利

[国际类型]:H02M3/155

[申请人]:松下电器产业株式会社

[ShenQingRen]:SongXiaDianQiChanYeZhuShiHuiShe

[国家省市]:日本(JP)

[地址]:日本国大阪府

[DiZhi]:RiBenGuoDaZuoFu

[邮编]:

[发明人]:八谷佳明  [FaMingRen]:BaGuJiaMing

[代理人]:包于俊  [DaiLiRen]:BaoYuJun

[代理机构]:上海专利商标事务所(31100)[代理地址]:上海市桂平路435号(200233)

[审批历史]:

[页数]:7[附图]:6[优先权]:    日本2003年7月28日2003-280727[PCT]:[范畴]:[权利要求]:
    一种半导体装置,具备:具有高电位侧端子、低电位侧端子、控制端子的开关元件(1),以及有与所述高电位侧端子通过调节器(3)连接的基准电压端子(BP)和反馈信号输入端子(FP),而且连接于所述开关元件的

[权利要求数]:3

[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]: 本发明涉及使用于有必要高输出化的开关电源中的半导体装置,目的是防止线圈和变压器发生鸣叫,实现高效率电源。通过在作为反馈信号输入端子的FB端子的周边电路上连接P型号OOSFET构成的电流镜电路(9)、过电流检测电平调整电路(10)、过电流检测电路(12)、间歇振荡控制电路(13),在从重负荷状态到轻负荷状态中采用改变IDRAIN峰值的PWM控制,在从轻负荷状态到重负荷状态中采用间歇振荡控制,抑制线圈和变压器的鸣叫,并实现高效率化。

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