[TiMing]:WuCiPingBiXingTieCiXingBaCaiJianSheYinJiWuCiPingBiXingTieCiXingBaCaiJianSheYinJi
[申请号]:02116687[公开号]:1397660
[公告号]:0000000[申请日期]:20020416
[公开日期]:20030219[公告日期]:00000000
[授权日期]:00000000
[专利类型]:发明专利
[国际类型]:C23C14/34
[申请人]:北京科技大学
[ShenQingRen]:BeiJingKeJiDaXue
[国家省市]:北京(11)
[地址]:北京市海淀区学院路30号
[DiZhi]:BeiJingShiHaiDianQuXueYuanLu30Hao
[邮编]:100083
[发明人]:杨会生;王燕斌;熊小涛 [FaMingRen]:YangHuiSheng、WangYanBin、XiongXiaoTao
[代理人]:刘月娥 [DaiLiRen]:LiuYueE
[代理机构]:北京科技大学专利代理事务所(11207)[代理地址]:北京市学院路30号(100083)
[审批历史]:
[页数]:12[附图]:6[优先权]:[PCT]:[范畴]:25F23D[权利要求]:
一种磁控溅射阴极,由法兰(28)、密封胶圈(26)、固定螺栓孔(27)、基片(37)组成;其特征在于:法兰(28)安装于真空室壁上,在法兰(28)上有密封胶圈(26)和固定螺栓孔(27),基片(37
[权利要求数]:4
[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]: 本发明提供了一种磁控溅射阴极及其溅射方法,其特征在于:法兰(28)安装于真空室壁上,在法兰(28)上有密封胶圈(26)和固定螺栓孔(27),基片(37)置于阴极上方进行溅射镀膜;对于具有轴对称的圆形磁控溅射阴极,铁磁性靶材由中心圆形靶材(21’)和外侧环型靶材(21)组成,中心圆形靶材与外侧环形靶材之间有5-60mm的间隙,溅射在间隙附近发生;靶材(21,21’)、磁极(22,22’)、磁铁(23,23’)和磁极背板(38)构成闭合磁路;其中磁极和磁极背板采用高饱和磁化强度材料;靶体(33)采用具有良好导热性的材料制造。在溅射过程中,等离子体中的离子对靶材表面的轰击,将有大量的热能产生,在靶体内构造出冷却水道(39)。本发明的优点在于:克服了铁磁性靶材对磁路的屏蔽效应;增加一致性,易于安装和维护。
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[下一条]:霍尔型离子辅助蒸发源
