[TiMing]：YongYuFengZhuangBanDaoTiDeBoLiJiBoLiGuanYongYuFengZhuangBanDaoTiDeBoLiJiBoLiGuan
[申请号]：200410077802[公开号]：1617329
[公告号]：0000000[申请日期]：20010515
[公开日期]：20050518[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：H01L23/08;H01L21/56;C03C3/12;C03C3/14
[申请人]：日本电气硝子株式会社
[ShenQingRen]：RiBenDianQiXiaoZiZhuShiHuiShe
[国家省市]：日本(JP)
[地址]：日本滋贺县
[DiZhi]：RiBenZiHeXian
[邮编]：
[发明人]：香曾我部;裕幸 [FaMingRen]：XiangZengWoBu YuXing
[代理人]：丁香兰 [DaiLiRen]：DingXiangLan
[代理机构]：北京三友专利代理有限责任公司(11127)[代理地址]：北京市北三环中路40号(100088)
[审批历史]：
[页数]：15[附图]：0[优先权]： 日本2000年5月16日特愿2000-143990[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
[权利要求数]：1
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 一种用于封装半导体的玻璃，该玻璃实质上不含铅或其它有害成分，但其封接温度不超过７１０℃，并且可以用杜美丝稳定地封接。此外，当玻璃的粘度为１０＃＋［６］ｄＰａ·ｓ时，所述玻璃的温度不超过７１０℃，并且包括Ｌｉ＃－［２］Ｏ、Ｎａ＃－［２］Ｏ和Ｋ＃－［２］Ｏ中的两种或两种以上以及Ｂ＃－［２］Ｏ＃－［３］。另外，该玻璃可以含有数量分别为４０～７０重量％、５～２０重量％和０～１５重量％的ＳｉＯ＃－［２］、Ｂ＃－［２］Ｏ＃－［３］和Ａｌ＃－［２］Ｏ＃－［３］；总量为０～４５重量％的ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ和ＺｎＯ；以及总量为５～２５重量％的Ｌｉ＃－［２］Ｏ、Ｎａ＃－［２］Ｏ和Ｋ＃－［２］Ｏ。
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