在衬底上形成重量补偿/调节层的方法ZaiChenDiShangXingChengZhongLiangBuChang/DiaoJieCengDeFangFa

[题名]：在衬底上形成重量补偿/调节层的方法ZaiChenDiShangXingChengZhongLiangBuChang/DiaoJieCengDeFangFa

[TiMing]：ZaiChenDiShangXingChengZhongLiangBuChang/DiaoJieCengDeFangFaZaiChenDiShangXingChengZhongLiangBuChang/DiaoJieCengDeFangFa

[申请号]：200410077822[公开号]：1607648

[公告号]：0000000[申请日期]：20040915

[公开日期]：20050420[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：H01L21/30;H04Q7/22;H04B7/26

[申请人]：英特尔公司

[ShenQingRen]：YingTeErGongSi

[国家省市]：美国(US)

[地址]：美国加利福尼亚州

[DiZhi]：MeiGuoJiaLiFuNiYaZhou

[邮编]：

[发明人]：西奥多·多罗什;克里什纳·塞莎恩  [FaMingRen]：XiAoDuo·DuoLuoShi、KeLiShiNa·SaiShaEn

[代理人]：柳春雷  [DaiLiRen]：LiuChunLei

[代理机构]：(11258)[代理地址]：()

[审批历史]：

[页数]：10[附图]：5[优先权]：    美国2003年9月29日10/675,587[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
    一种方法，包括：　　　　在硅晶片上形成材料层，所述硅晶片具有包括至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化，所述材料层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的至少一个厚的区域和至少一

[权利要求数]：5

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 本发明公开了一种在衬底上形成重量补偿／调节层的方法。本发明的实施例在表面形貌具有变化的结构（例如，具有一个或多个材料层（例如，薄膜）的硅晶片）上形成重量补偿／调节层。表面形貌变化表现为材料的厚的区域和薄的区域。重量补偿／调节层包括分别与厚的区域和薄的区域相对应的窄的区域和宽的区域。

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