[TiMing]：TongDeGeXiangTongXingShiKeFangFaTongDeGeXiangTongXingShiKeFangFa
[申请号]：200410077873[公开号]：1607268
[公告号]：0000000[申请日期]：20040916
[公开日期]：20050420[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：C23F1/34
[申请人]：国际商业机器公司
[ShenQingRen]：GuoJiShangYeJiQiGongSi
[国家省市]：美国(US)
[地址]：美国纽约
[DiZhi]：MeiGuoNiuYue
[邮编]：
[发明人]：E·I·库珀;B·K·弗曼;D·L·拉思 [FaMingRen]：E·I·KuZuo、B·K·FuMan、D·L·LaSi
[代理人]：林柏楠;刘金辉 [DaiLiRen]：LinBaiZuo,LiuJinHui
[代理机构]：中咨律师事务所(11247)[代理地址]：北京市朝阳区朝外大街20号联合大厦901室(100020)
[审批历史]：
[页数]：10[附图]：8[优先权]： 美国2003年9月17日10/664,017[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
铜和铜合金的蚀刻方法，所述方法包括： ａ）将裸露的铜和铜合金表面与含水蚀刻组合物接触，该组合物包含氧化剂、至少一种与铜的累积稳定常数≤１０↑［１４］的铜或铜合金的弱络合剂与至少一种与铜的累积稳
[权利要求数]：4
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 通过使用含水组合物对铜和铜合金进行蚀刻以得到均匀而又光滑的表面，所述组合物包含氧化剂、铜及铜合金的至少一种弱络合剂和至少一种强络合剂的混合物以及水，其ｐＨ值是约６到约１２以形成氧化的蚀刻控制层从而均匀地去除铜或铜合金；然后用非氧化性组合物去除氧化的蚀刻控制层。也提供了具有光滑上表面的铜和铜合金结构。
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