[TiMing]：BanDaoTiJieGouDeZhiZaoFangFaBanDaoTiJieGouDeZhiZaoFangFa
[申请号]：200410005297[公开号]：1523644
[公告号]：0000000[申请日期]：20040218
[公开日期]：20040825[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：H01L21/283;H01L21/31;H01L21/324;H01L21/336;H01L21/8234
[申请人]：台湾积体电路制造股份有限公司
[ShenQingRen]：TaiWanJiTiDianLuZhiZaoGuFenYouXianGongSi
[国家省市]：台湾(71)
[地址]：中国台湾
[DiZhi]：ZhongGuoTaiWan
[邮编]：
[发明人]：刘埃森;彭宝庆;雷明达;万文恺;林正忠;黄桂武;林义雄;林佳惠 [FaMingRen]：LiuAiSen、PengBaoQing、LeiMingDa、WanWenZuo、LinZhengZhong、HuangGuiWu、LinYiXiong、LinJiaHui
[代理人]：王铮 [DaiLiRen]：WangZuo
[代理机构]：隆天国际专利商标代理有限公司(72003)[代理地址]：香港干诺道中168-200号信德中心西翼15楼1512室()
[审批历史]：
[页数]：6[附图]：5[优先权]： 美国2003年2月19日10/369，992[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
一种半导体结构的制造方法，至少包括： 提供一基材，其中该基材上至少已形成依序堆栈的一第一材料层以及一第二材料层；以及 进行一后处理步骤，使该第二材料层与该第一材料层反应而使该第一材料层转
[权利要求数]：1
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 一种半导体结构的制造方法，其在部分的闸极介电薄膜上形成金属闸极后，利用例如热处理（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）的方式使位于金属闸极下方的闸极介电薄膜转变成高介电常数（Ｈｉｇｈ－ｋ）介电层。如此一来，即可顺利地将闸极介电薄膜转化形成具有高介电常数闸极介电层以及金属闸极的半导体结构。
[相关文献]：更多相似文献
[下一条]：压缩复合制品的成型和传送方法
