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图像传感器及其制造方法TuXiangChuanGanQiJiQiZhiZaoFangFa

[题名]:图像传感器及其制造方法TuXiangChuanGanQiJiQiZhiZaoFangFa

[TiMing]:TuXiangChuanGanQiJiQiZhiZaoFangFaTuXiangChuanGanQiJiQiZhiZaoFangFa

[申请号]:200410095928[公开号]:1607675

[公告号]:0000000[申请日期]:20040929

[公开日期]:20050420[公告日期]:00000000

[授权日期]:00000000

[专利类型]:发明专利

[国际类型]:H01L27/146;H04N5/335

[申请人]:海力士半导体有限公司

[ShenQingRen]:HaiLiShiBanDaoTiYouXianGongSi

[国家省市]:韩国(KR)

[地址]:韩国京畿道

[DiZhi]:HanGuoJingZuoDao

[邮编]:

[发明人]:柳尚旭  [FaMingRen]:LiuShangXu

[代理人]:陶凤波;侯宇  [DaiLiRen]:TaoFengBo,HouYu

[代理机构]:柳沈知识产权律师事务所(11105)[代理地址]:北京市朝阳区北辰东路8号汇宾大厦A0601(100101)

[审批历史]:

[页数]:6[附图]:4[优先权]:    韩国2003年9月29日67561/03[PCT]:[范畴]:[权利要求]:
    一种图像传感器,包括:    至少一光电二极管,其形成于半导体衬底上;    多层层间绝缘膜,形成于光电二极管上并且至少两层叠积,从而当多层层间绝缘膜往上时,上层间绝缘膜的密度变得小于下层间绝缘膜的

[权利要求数]:2

[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]: 本发明公开了一种可提高光电二极管的光收集效能的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括:至少一形成于半导体衬底上的光电二极管;形成于光电二极管上的多层层间绝缘膜,多层层间绝缘膜至少两层堆积,从而当多层层间绝缘膜往上时上层间绝缘膜的密度变得小于下层间绝缘膜的密度;光屏蔽层和元件保护膜,依次堆积在多层层间绝缘膜上;彩色滤色器阵列和平整层,依次堆积在元件保护膜上;以及置于平整层上与滤色器对应的位置的微透镜。因此,通过随着多层层间绝缘膜往上使得其密度变小,以减小通过微透镜和滤色器透过的入射光的折射角,本发明可以改善具有到达光电二极管的垂直光的增强透射率的光电二极管的光收集效能。

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