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电子束记录衬底DianZiShuJiLuChenDi

[题名]:电子束记录衬底DianZiShuJiLuChenDi

[TiMing]:DianZiShuJiLuChenDiDianZiShuJiLuChenDi

[申请号]:200410007225[公开号]:1551169

[公告号]:0000000[申请日期]:20040227

[公开日期]:20041201[公告日期]:00000000

[授权日期]:00000000

[专利类型]:发明专利

[国际类型]:G11B9/10

[申请人]:先锋株式会社

[ShenQingRen]:XianFengZhuShiHuiShe

[国家省市]:日本(JP)

[地址]:日本东京都

[DiZhi]:RiBenDongJingDu

[邮编]:

[发明人]:胜村昌広  [FaMingRen]:ShengCunChang

[代理人]:韩宏  [DaiLiRen]:HanHong

[代理机构]:永新专利商标代理有限公司(72002)[代理地址]:香港九龙尖沙咀东部科学馆道1号康宏广场南座18楼1805-6室()

[审批历史]:

[页数]:11[附图]:3[优先权]:    日本2003年2月28日52962/2003[PCT]:[范畴]:[权利要求]:
    一种在其上进行电子束信息记录的电子束记录衬底,其特征在于该衬底包括:衬底主体;相对于衬底主体的抗蚀膜;以及表面层区域,该表面层区域由抑制通过来自抗蚀膜一侧的电子束照射而在内部扩散的电子的散射分布直径

[权利要求数]:2

[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]: 一种电子束记录衬底,保持有一抗蚀膜,电子束信息记录在该抗蚀膜上进行,该衬底具有表面层区域,该表面层区域由抑制通过来自抗蚀膜一侧的电子束照射在内部扩散的电子的散射分布直径的扩大的材料形成。

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