半导体鳍式元件的接触窗及其制造方法BanDaoTiZuoShiYuanJianDeJieChuChuangJiQiZhiZaoFangFa

[题名]：半导体鳍式元件的接触窗及其制造方法BanDaoTiZuoShiYuanJianDeJieChuChuangJiQiZhiZaoFangFa

[TiMing]：BanDaoTiZuoShiYuanJianDeJieChuChuangJiQiZhiZaoFangFaBanDaoTiZuoShiYuanJianDeJieChuChuangJiQiZhiZaoFangFa

[申请号]：200410007241[公开号]：1525530

[公告号]：0000000[申请日期]：20040227

[公开日期]：20040901[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：H01L21/00;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234

[申请人]：台湾积体电路制造股份有限公司

[ShenQingRen]：TaiWanJiTiDianLuZhiZaoGuFenYouXianGongSi

[国家省市]：台湾(71)

[地址]：中国台湾

[DiZhi]：ZhongGuoTaiWan

[邮编]：

[发明人]：杨育佳;杨富量;胡正明  [FaMingRen]：YangYuJia、YangFuLiang、HuZhengMing

[代理人]：王铮  [DaiLiRen]：WangZuo

[代理机构]：隆天国际专利商标代理有限公司(72003)[代理地址]：香港干诺道中168-200号信德中心西翼15楼1512室()

[审批历史]：

[页数]：9[附图]：14[优先权]：    美国2003年2月27日10/377,479[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
    一种半导体鳍式元件的接触窗的制造方法，至少包含：　　　　提供一半导体鳍，其中该半导体鳍至少包括一上表面、两个侧壁表面以及至少一末端表面；　　　　形成一蚀刻终止层位于该半导体鳍上；　　　　形成一保护层

[权利要求数]：2

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 一种半导体鳍式元件的接触窗（Ｆｉｎ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｃｏｎｔａｃｔ）及其制造方法，此半导体鳍式元件的接触窗位于半导体鳍的上表面、两侧壁表面及／或至少一端表面上，而与半导体鳍式元件的源极／漏极之间具有相当大的接触面积。

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