[TiMing]:DengLiZiTiZhuangZhiJiDengLiZiTiShengChengFangFaDengLiZiTiZhuangZhiJiDengLiZiTiShengChengFangFa
[申请号]:02803497[公开号]:1488164
[公告号]:0000000[申请日期]:20020117
[公开日期]:20040407[公告日期]:00000000
[授权日期]:00000000
[专利类型]:发明专利
[国际类型]:H01L21/205;H01L21/3065
[申请人]:东京毅力科创株式会社、安藤真
[ShenQingRen]:DongJingYiLiKeChuangZhuShiHuiShe、AnTengZhen
[国家省市]:日本(JP)
[地址]:日本东京都
[DiZhi]:RiBenDongJingDu
[邮编]:
[发明人]:安藤真;石井信雄 [FaMingRen]:AnTengZhen、ShiJingXinXiong
[代理人]:陆锦华 [DaiLiRen]:LuJinHua
[代理机构]:(11258)[代理地址]:()
[审批历史]:
[页数]:10[附图]:8[优先权]: 日本2001年1月18日10107/01[PCT]: [范畴]:38F[权利要求]:
一种等离子体装置,利用在辐射面形成有多个缝隙的缝隙天线向容器内供给电磁场而产生等离子体,其中, 所述缝隙天线形成有所述缝隙,使得所述辐射面外周边部分的、每单位面积的电磁场辐射量,小于所述辐射面
[权利要求数]:0
[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]: 一种等离子体装置,具有缝隙天线(30),用于向生成等离子体的容器内供给电磁场。此缝隙天线(30)形成有缝隙(36),使得辐射面(31)外周边部分B的、每单位面积的电磁场辐射量,小于辐射面(31)的中心部分A和外周边部分B间的中间区域C的、每单位面积的电磁场辐射量。
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[下一条]:铁电存储装置及其制造方法
