[TiMing]：BaChuHouZiDongBianChengRaoLuan(APDE)QiJianTiGaoXiaoLvDeKuaiShanCunChuZhuangZhiBaChuHouZiDongBianChengRaoLuan(APDE)QiJianTiGaoXiaoLvDeKuaiShanCunChuZhuangZhi
[申请号]：02810072[公开号]：1509477
[公告号]：0000000[申请日期]：20020219
[公开日期]：20040630[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[申请人]：先进微装置公司
[ShenQingRen]：XianJinWeiZhuangZhiGongSi
[国家省市]：美国(US)
[地址]：美国加利福尼亚州
[DiZhi]：MeiGuoJiaLiFuNiYaZhou
[邮编]：
[发明人]：Z·王;R·法斯特奥;S·哈蒂德;S-H·帕克;C·常 [FaMingRen]：Z·Wang、R·FaSiTeAo、S·HaDiDe、S-H·PaKe、C·Chang
[代理人]：戈泊;程伟 [DaiLiRen]：GeBo,ChengWei
[代理机构]：北京纪凯知识产权代理有限公司(11245)[代理地址]：北京市西城区宣武门西大街甲129号金隅大厦602室(100031)
[审批历史]：
[页数]：18[附图]：12[优先权]： 美国2001年5月18日09/861,031 美国2001年10月1日09/969,572 美国2001年5月18日60/291,861[PCT]： [范畴]：[权利要求]： 一种用于编程快闪存储装置的方法，该快闪存储装置具有多个快闪存储单元的阵列形成于行和列之中，快闪存储单元位于每个列与行的交接处，以及各个快闪存储单元具有形成于基板上的控制闸极和浮动闸极，以及各个快闪存?br>
[权利要求数]：0
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 源极电阻或正电压连结至快闪存储单元的源极以及负偏压施加至快闪存储单元的基板或ｐ－井以在编程期间和／或快闪存储装置的擦除后自动编程扰乱（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｒｏｇｒａｍ Ｄｉｓｔｕｒｂ ａｆｔｅｒ Ｅｒａｓｅ，ＡＰＤＥ）处理期间加强效率。此外，在编程快闪存储装置的系统和方法中，选择多个快闪存储单元阵列的快闪存储单元进行编程。控制闸极编程电压施加至选择的快闪存储单元的控制闸极，以及位线编程电压经由连接选择的快闪存储单元的漏极的共同位线终端而施加至选择的快闪存储单元的漏极。执行擦除后自动编程扰乱处理的系统和方法中，选择具有多个快闪存储单元的阵列的快闪存储单元列进行擦除修正。位线擦除后自动编程扰乱电压施加至对应于快闪存储单元的选择列的共同位线终端。控制闸极擦除后自动编程扰乱电压施加至快闪存储单元的选择列的各个快闪存储单元的各自控制闸极。或者，在自偏差构造中，将源极连结至各个快闪存储单元的控制闸极，而使控制闸极擦除后自动编程扰乱电压不施加至快闪存储单元的选择列的各个快闪存储单元的各自控制闸极。
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[下一条]：制造三维可弯典变形的表层构件的方法
