[TiMing]：YongYuLiZiZhuRuDeFangFaHeZhuangZhiYongYuLiZiZhuRuDeFangFaHeZhuangZhi
[申请号]：02814496[公开号]：1575503
[公告号]：0000000[申请日期]：20020523
[公开日期]：20050202[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：H01J37/317
[申请人]：瓦里安半导体设备联合公司
[ShenQingRen]：WaLiAnBanDaoTiSheBeiLianHeGongSi
[国家省市]：美国(US)
[地址]：美国马萨诸塞州
[DiZhi]：MeiGuoMaSaZhuSaiZhou
[邮编]：
[发明人]：杰伊·T·舒尤尔;格雷戈里·R·杰比拉热 [FaMingRen]：JieYi·T·ShuYouEr、GeLeiGeLi·R·JieBiLaRe
[代理人]：过晓东 [DaiLiRen]：GuoXiaoDong
[代理机构]：永新专利商标代理有限公司(72002)[代理地址]：香港九龙尖沙咀东部科学馆道1号康宏广场南座18楼1805-6室()
[审批历史]：
[页数]：15[附图]：5[优先权]： 美国2001年5月25日60/293,754 美国2002年5月21日10/152,887[PCT]： [范畴]：[权利要求]：
一种适合工件的离子注入的方法，其中包括： 产生离子束； 让离子束在第一方向扫过的工件，以产生扫描线； 在第二方向相对于离子束平移工件，以致使扫描线分布在工件上，以及 依照预期
[权利要求数]：0
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 这项发明提供用于诸如半导体晶片之类的工件的受控的离子注入的方法和装置。这种方法包括产生离子束，让离子束在第一方向扫过工件以产生扫描线，在第二方向相对于离子束这样平移工件，以致扫描线以及标准的空间频率分布在工件上，从而获得工件的剂量图，以如果所获得的剂量图不在技术要求范围之内而且必要的剂量修正少于能用扫描线的标准空间频率获得的最小剂量修正则开始剂量修正注入并且在剂量修正期间控制扫描线的空间频率。
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