在综合处理系统中用于等离子搀杂和离子注入的方法和装置ZaiZongHeChuLiXiTongZhongYongYuDengLiZiChanZaHeLiZiZhuRuDeFangFaHeZhuangZhi

[题名]：在综合处理系统中用于等离子搀杂和离子注入的方法和装置ZaiZongHeChuLiXiTongZhongYongYuDengLiZiChanZaHeLiZiZhuRuDeFangFaHeZhuangZhi

[TiMing]：ZaiZongHeChuLiXiTongZhongYongYuDengLiZiChanZaHeLiZiZhuRuDeFangFaHeZhuangZhiZaiZongHeChuLiXiTongZhongYongYuDengLiZiChanZaHeLiZiZhuRuDeFangFaHeZhuangZhi

[申请号]：02823322[公开号]：1592944

[公告号]：0000000[申请日期]：20021017

[公开日期]：20050309[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：H01J37/317;H01J37/32;H01L21/00

[申请人]：瓦里安半导体设备联合公司

[ShenQingRen]：WaLiAnBanDaoTiSheBeiLianHeGongSi

[国家省市]：美国(US)

[地址]：美国马萨诸塞州

[DiZhi]：MeiGuoMaSaZhuSaiZhou

[邮编]：

[发明人]：史蒂文·R·沃尔特  [FaMingRen]：ShiDiWen·R·WoErTe

[代理人]：过晓东  [DaiLiRen]：GuoXiaoDong

[代理机构]：永新专利商标代理有限公司(72002)[代理地址]：香港九龙尖沙咀东部科学馆道1号康宏广场南座18楼1805-6室()

[审批历史]：

[页数]：16[附图]：8[优先权]：    美国2001年10月26日10/007,530[PCT]：    [范畴]：[权利要求]：    一种处理半导体晶片的装置，包括：　　　　处理室；　　　　射束线离子注入组件，用来产生离子束并且将离子束引进所述的处理室；　　　　离子搀杂组件，其包括可进入所述的处理室的等离子搀杂室的等；以及　　　?br> ?br>

[权利要求数]：5

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 这些方法和装置是在综合处理系统中为等离子搀杂和离子注入准备的。装置包括处理室、用来产生离子束并且将离子束引进处理室的射束线离子注入组件、包括可进入处理室的等离子搀杂室的等离子搀杂组件和晶片定位器。该定位器在射束线注入模式中将半导体晶片放置在离子束路径中，而在等离子搀杂模式中将半导体晶片放置在等离子搀杂室中。

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