画素结构及其制造方法与储存电容结构HuaSuJieGouJiQiZhiZaoFangFaYuChuCunDianRongJieGou

[题名]：画素结构及其制造方法与储存电容结构HuaSuJieGouJiQiZhiZaoFangFaYuChuCunDianRongJieGou

[TiMing]：HuaSuJieGouJiQiZhiZaoFangFaYuChuCunDianRongJieGouHuaSuJieGouJiQiZhiZaoFangFaYuChuCunDianRongJieGou

[申请号]：200510000019[公开号]：1632673

[公告号]：0000000[申请日期]：20050104

[公开日期]：20050629[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[申请人]：友达光电股份有限公司

[ShenQingRen]：YouDaGuangDianGuFenYouXianGongSi

[国家省市]：台湾(71)

[地址]：中国台湾省

[DiZhi]：ZhongGuoTaiWanSheng

[邮编]：

[发明人]：来汉中 [FaMingRen]：LaiHanZhong

[代理人]：寿宁;张华辉 [DaiLiRen]：ShouNing,ZhangHuaHui

[代理机构]：冶金专利事务所(11019)[代理地址]：北京市灯市口74号(100730)

[审批历史]：

[页数]：9[附图]：8[优先权]：[PCT]：[范畴]：[权利要求]：

[权利要求数]：2

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]：

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