[TiMing]：DianZiYuanJianNengLiangChongJiCeShiXiTongJiFangFaDianZiYuanJianNengLiangChongJiCeShiXiTongJiFangFa
[申请号]：01116199[公开号]：1388381
[公告号]：0000000[申请日期]：20010530
[公开日期]：20030101[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：G01R31/00
[申请人]：大冈科技股份有限公司
[ShenQingRen]：DaGangKeJiGuFenYouXianGongSi
[国家省市]：台湾(71)
[地址]：台湾省高雄市
[DiZhi]：TaiWanShengGaoXiongShi
[邮编]：
[发明人]：陈志溢;许家祯;黄镫汉 [FaMingRen]：ChenZhiYi、XuJiaZuo、HuangZuoHan
[代理人]：穆魁良 [DaiLiRen]：MuKuiLiang
[代理机构]：北京三友专利代理有限责任公司(11127)[代理地址]：北京市北三环中路40号(100088)
[审批历史]： 2005年2月16日视撤日
[页数]：15[附图]：5[优先权]：[PCT]：[范畴]：31F[权利要求]：
一种电子元件能量冲击测试系统，其特征是：该测试系统包含： 一对待测元件进行模拟连续瞬间能量冲击测试直至其结构崩溃为止、以便测试该待测元件结构品质的破坏性电子元件测试模式； 一对待测元件进行模拟一
[权利要求数]：17
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 本发明公开了一种电子元件能量冲击测试系统及方法，该系统包含一非破坏性电子元件测试模式、一破坏性电子元件测试模式及一程序控制结构；利用共用程序控制结构将非破坏性测试模式及破坏性测试模式整合于一测试系统，该非破坏性测试模式对所有产品进行结构品质检测以提升产品可信赖度，而该破坏性测试模式则在待测元件进行能量冲击测试时缩短测试时间；本发明适用于电子元件的耐冲击能力测试、或连续模拟瞬间冲击测试、及结构品质检测分析。
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