[TiMing]：ChaDongCPP GMRCiTouChaDongCPP GMRCiTou
[申请号]：200410007819[公开号]：1551113
[公告号]：0000000[申请日期]：20040129
[公开日期]：20041201[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[申请人]：日立环球储存科技荷兰有限公司
[ShenQingRen]：RiLiHuanQiuChuCunKeJiHeLanYouXianGongSi
[国家省市]：荷兰(NL)
[地址]：荷兰阿姆斯特丹
[DiZhi]：HeLanAMuSiTeDan
[邮编]：
[发明人]：哈代亚尔·S.·吉尔 [FaMingRen]：HaDaiYaEr·S.·JiEr
[代理人]：李德山 [DaiLiRen]：LiDeShan
[代理机构]：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)[代理地址]：北京市阜成门外大街2号8层(100037)
[审批历史]：
[页数]：12[附图]：5[优先权]： 美国2003年1月23日10/349,552[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
一种差动巨磁电阻（ＧＭＲ）传感器，包括： 第一自旋阀（ＳＶ）传感器，包括： 第一被栓固层，包括： 第一铁磁（ＦＭ１）层； 第二铁磁（ＦＭ２）层； 设置在ＦＭ１和ＦＭ２层
[权利要求数]：8
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 本发明提供了具有非磁性高传导率引线以实现低引线电阻的差动垂直平面电流模式（ＣＰＰ）巨磁电阻（ＧＭＲ）传感器。差动ＣＰＰ ＧＭＲ传感器包括第一自旋阀（ＳＶ）传感器，第二ＳＶ传感器和金属间隔层，金属间隔层设置在第一和第二ＳＶ传感器之间。由于本发明ＣＰＰＧＭＲ传感器的差动操作，无需屏蔽层对传感器屏蔽寄生磁场。使用具有较厚的高传导率非磁性引线层来代替屏蔽层以减少传感器的引线电阻。适于形成引线的材料包括钨（Ｗ）、金（Ａｕ）、铑（Ｒｈ）、铜（Ｃｕ）、钽（Ｔａ），这是出于它们导电性能以及耐腐蚀、耐污性的考虑。
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[下一条]：从文本中预测误词率的方法和设备
