掩膜及其制法、掩膜制造装置、发光材料的成膜方法YanMoJiQiZhiFa、YanMoZhiZaoZhuangZhi、FaGuangCaiLiaoDeChengMoFangFa

[题名]：掩膜及其制法、掩膜制造装置、发光材料的成膜方法YanMoJiQiZhiFa、YanMoZhiZaoZhuangZhi、FaGuangCaiLiaoDeChengMoFangFa

[TiMing]：YanMoJiQiZhiFa、YanMoZhiZaoZhuangZhi、FaGuangCaiLiaoDeChengMoFangFaYanMoJiQiZhiFa、YanMoZhiZaoZhuangZhi、FaGuangCaiLiaoDeChengMoFangFa

[申请号]：200410007838[公开号]：1526850

[公告号]：0000000[申请日期]：20040304

[公开日期]：20040908[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：C23C14/04;C23C14/24;H05B33/10

[申请人]：精工爱普生株式会社

[ShenQingRen]：JingGongAiPuShengZhuShiHuiShe

[国家省市]：日本(JP)

[地址]：日本东京

[DiZhi]：RiBenDongJing

[邮编]：

[发明人]：中楯真  [FaMingRen]：ZhongZhen

[代理人]：李香兰  [DaiLiRen]：LiXiangLan

[代理机构]：中科专利商标代理有限责任公司(11021)[代理地址]：北京市海淀区海淀路80号中科大厦16层(100080)

[审批历史]：

[页数]：16[附图]：9[优先权]：    日本2003年3月7日2003-061355    日本2003年3月7日2003-061356    日本2003年3月7日2003-061357    日本2004年2月13日2004-036621[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
    一种掩膜，其中，具备：　　　　形成了开口的基体材料；　　　　形成多个贯通孔，同时对应于上述开口而与上述基体材料接合的掩膜构件；和　　　　以所定间隔保持上述基体材料与上述掩膜构件的隔离子。

[权利要求数]：3

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 提供一种掩膜及其制造方法、制造装置、发光材料的成膜方法、电光学装置及电子仪器。本发明的掩膜：具备形成了开口的基体材料；形成有多个贯通孔，同时对应于上述开口而与上述基体材料接合的掩膜构件；和以所定间隔保持上述基体材料与上述掩膜构件的隔离子。

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