半导体集成电路BanDaoTiJiChengDianLu

[题名]：半导体集成电路BanDaoTiJiChengDianLu

[TiMing]：BanDaoTiJiChengDianLuBanDaoTiJiChengDianLu

[申请号]：01124650[公开号]：1354520

[公告号]：0000000[申请日期]：20010727

[公开日期]：20020619[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[申请人]：三菱电机株式会社

[ShenQingRen]：SanLingDianJiZhuShiHuiShe

[国家省市]：日本(JP)

[地址]：日本东京都

[DiZhi]：RiBenDongJingDu

[邮编]：

[发明人]：水野干滋 [FaMingRen]：ShuiYeGanZi

[代理人]：刘宗杰;叶恺东 [DaiLiRen]：LiuZongJie,YeZuoDong

[代理机构]：中国专利代理(香港)有限公司(72001)[代理地址]：香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()

[审批历史]： 2004年8月11日视撤日

[页数]：11[附图]：6[优先权]：日本2000年11月22日355883/00[PCT]：[范畴]：38F[权利要求]：
一种半导体集成电路，它形成有氮化钽膜，作金属布线层的阻挡层金属之用，其特征在于：包括一种微调电阻器，它是去除掉一部分所述金属布线层而形成的氮化钽膜单层部分。

[权利要求数]：6

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 一种半导体集成电路，安装ＴａＮ膜作为微调器件，可得到兼能进行电流微调和激光微调的半导体集成电路。去除掉附着于具有金属布线层１６的阻挡层金属功能的ＴａＮ膜层１５之上的金属布线层１６的一部分而形成ＴａＮ膜单层，可利用该ＴａＮ膜单层部分作为具有熔断丝功能的微调电阻器Ｒ１０。

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