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纳米金刚石薄膜的制备装置NaMiJinGangShiBaoMoDeZhiBeiZhuangZhi

[题名]:纳米金刚石薄膜的制备装置NaMiJinGangShiBaoMoDeZhiBeiZhuangZhi

[TiMing]:NaMiJinGangShiBaoMoDeZhiBeiZhuangZhiNaMiJinGangShiBaoMoDeZhiBeiZhuangZhi

[申请号]:01126358[公开号]:1332268

[公告号]:0000000[申请日期]:20010727

[公开日期]:20020123[公告日期]:00000000

[授权日期]:00000000

[专利类型]:发明专利

[国际类型]:C23C16/27;C23C16/50

[申请人]:中国科学院上海光学精密机械研究所

[ShenQingRen]:ZhongGuoKeXueYuanShangHaiGuangXueJingMiJiXieYanJiuSuo

[国家省市]:上海(31)

[地址]:上海市800-211邮政信箱

[DiZhi]:ShangHaiShi800-211YouZhengXinXiang

[邮编]:201800

[发明人]:龚辉;范正修  [FaMingRen]:GongHui、FanZhengXiu

[代理人]:李兰英  [DaiLiRen]:LiLanYing

[代理机构]:上海华东专利事务所(31002)[代理地址]:上海市岳阳路319号(200031)

[审批历史]:    2004年7月14日视撤日

[页数]:3[附图]:1[优先权]:[PCT]:[范畴]:23D[权利要求]:
    一种纳米金刚石薄膜的制备装置,包括:带有进气口(4)和抽气口(10)的反应炉体(3),反应炉体(3)内充有氢气和甲烷的混合气体(9),并置有热丝(1)和基板(8);其特征是:反应炉体(3)内置有相互

[权利要求数]:1

[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]: 一种纳米金刚石薄膜的制备装置,主要适用于在硅基板上制备大面积均匀纳米金刚石薄膜。它包括带有进气口和抽气口的反应炉体,反应炉体内充有氢气和甲烷的混合气体,并置有相互平行置放的正极板和负极板,在正极板和负极板处分别置有热丝和基板。正与负极板之间连接有启辉器和电压调节器。当正负两极板之间的启辉器产生瞬间高压时,激活了反应炉体内的氢气和甲烷的混合气体,产生等离子体,调节正负两极板间的电压调节器,控制两极板之间的电流恒定,致使反应炉体内的等离子体活化区稳定。用本发明的制备装置生长出的纳米金刚石薄膜比在先技术生长的薄膜晶粒尺寸小、表面粗糙度小、内应力小、面积大而均匀。

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