[TiMing]：GuiJiDanMianJiaGongXuanFuJieGouWeiJiXieDianGanDeZhiZuoFangFaGuiJiDanMianJiaGongXuanFuJieGouWeiJiXieDianGanDeZhiZuoFangFa
[申请号]：01130793[公开号]：1334594
[公告号]：1131557[申请日期]：20010824
[公开日期]：20020206[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[申请人]：清华大学
[ShenQingRen]：QingHuaDaXue
[国家省市]：北京(11)
[地址]：北京市海淀区清华园
[DiZhi]：BeiJingShiHaiDianQuQingHuaYuan
[邮编]：100084
[发明人]：刘泽文;丁勇;刘理天;李志坚 [FaMingRen]：LiuZeWen、DingYong、LiuLiTian、LiZhiJian
[代理人]：廖元秋 [DaiLiRen]：LiaoYuanQiu
[代理机构]：清华大学专利事务所(11201)[代理地址]：北京市海淀区清华大学院内(100084)
[审批历史]：
[页数]：6[附图]：3[优先权]：[PCT]：[范畴]：38F[权利要求]：
一种硅基单面加工悬浮结构微机械电感的制作方法，包括以下步骤： １）备片、清洗：以厚度为４００－６００μｍ、单面抛光的硅片作为衬底，采用硫酸＋双氧水煮沸的方法进行清洗后去离子水漂洗并烘干； ２）热
[权利要求数]：1
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 本发明属于半导体器件及集成电路制作技术领域，包括：备片、清洗；热氧化；淀积氮化硅阻挡层；第一次光刻，刻蚀氮化硅阻挡层；刻蚀二氧化硅；阳极氧化，形成多孔硅；去除二氧化硅、氮化硅；淀积二氧化硅支撑膜；致密；在硅片上溅射铝；第二次光刻，腐蚀铝，形成下层铝线；淀积氮化硅绝缘层；第三次光刻，刻蚀氮化硅绝缘层；在绝缘膜上溅射铝，作为上层金属；第四次光刻，腐蚀铝，形成上层铝线；合金；第五次光刻，形成释放孔；释放多孔硅；清洗、烘干。本方法不仅可以制作出悬浮结构ＭＥＭＳ电感，而且可以制作采用类似悬浮结构的滤波器、振荡器等，同时，完全的ＣＭＯＳ兼容工艺可以大大提高系统的集成度，降低系统成本，可望得到广泛应用。
[相关文献]：更多相似文献
[下一条]：吲哚类衍生物治疗肿瘤的新用途
