[TiMing]:JuYouJingQueDingWeiZhiDongQiDeCiTouChangPingJiaZuJianDeTeXingCeShiFangFaJuYouJingQueDingWeiZhiDongQiDeCiTouChangPingJiaZuJianDeTeXingCeShiFangFa
[申请号]:01132990[公开号]:1343970
[公告号]:0000000[申请日期]:20010913
[公开日期]:20020410[公告日期]:00000000
[授权日期]:00000000
[专利类型]:发明专利
[国际类型]:G11B5/31;G11B5/596;G11B21/10
[申请人]:TDK株式会社
[ShenQingRen]:TDKZhuShiHuiShe
[国家省市]:日本(JP)
[地址]:日本东京都
[DiZhi]:RiBenDongJingDu
[邮编]:
[发明人]:笠岛多闻;富田克彦;白石一雅;本田隆;和田健 [FaMingRen]:ZuoDaoDuoWen、FuTianKeYan、BaiShiYiYa、BenTianLong、HeTianJian
[代理人]:王以平 [DaiLiRen]:WangYiPing
[代理机构]:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)[代理地址]:北京市阜成门外大街2号8层(100037)
[审批历史]:
[页数]:16[附图]:16[优先权]: 日本2000年9月13日277923/2000[PCT]:[范畴]:38B40C31B[权利要求]:
一种测试磁头常平架组件特性的方法,该组件包括具有至少一个薄膜磁头元件的磁头浮动块、支架、以及使所述磁头浮动块相对所述支架移动以便精确定位所述至少一个薄膜磁头元件的致动器,所述方法包括通过驱动所述致动
[权利要求数]:36
[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]: 一种测试HGA特性的方法包括通过驱动精确定位的致动器发生位移并对至少一个薄膜磁头元件进行磁道分布测量而获得此致动器位移特性的步骤。
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[下一条]:双极晶体管
