[TiMing]:QianHanGao、ShiYongGaiQianHanGaoDeRuanQianHanFangFaYiJiCaiYongGaiRuanQianHanFangFaZhiBeiDeHanJieWuQianHanGao、ShiYongGaiQianHanGaoDeRuanQianHanFangFaYiJiCaiYongGaiRuanQianHanFangFaZhiBeiDeHanJieWu
[申请号]:01800016[公开号]:1358123
[公告号]:0000000[申请日期]:20010208
[公开日期]:20020710[公告日期]:00000000
[授权日期]:00000000
[专利类型]:发明专利
[国际类型]:B23K35/22;B23K35/363;H05K3/34
[申请人]:昭和电工株式会社
[ShenQingRen]:ZhaoHeDianGongZhuShiHuiShe
[国家省市]:日本(JP)
[地址]:日本东京
[DiZhi]:RiBenDongJing
[邮编]:
[发明人]:纲田仁;村瀬典子;庄司孝志 [FaMingRen]:GangTianRen、CunDianZi、ZhuangSiXiaoZhi
[代理人]:杨宏军 [DaiLiRen]:YangHongJun
[代理机构]:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)[代理地址]:北京市阜成门外大街2号8层(100037)
[审批历史]:
[页数]:14[附图]:0[优先权]: 日本2000年7月26日224866/00 日本2000年2月8日35661/00[PCT]: [范畴]:25E[权利要求]:
含有卤素化合物的钎焊膏,其特征在于每1克焊剂中的卤素离子浓度按照氯换算值为3000ppm以下。
[权利要求数]:5
[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]: 本发明涉及保存稳定性优良的钎焊膏、使用该钎焊膏的软钎焊方法以及采用上述软钎焊方法制备的焊接物。上述钎焊膏含有卤素化合物作为活性剂,其添加量为每1克焊剂中卤素离子浓度按照氯换算值达到3000ppm以下。
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[下一条]:发光闸流晶体管矩阵阵列
