对生长培养基进行灭菌处理或巴氏灭菌处理的方法和装置DuiShengChangPeiYangJiJinXingMieJunChuLiHuoBaShiMieJunChuLiDeFangFaHeZhuangZhi

[题名]：对生长培养基进行灭菌处理或巴氏灭菌处理的方法和装置DuiShengChangPeiYangJiJinXingMieJunChuLiHuoBaShiMieJunChuLiDeFangFaHeZhuangZhi

[TiMing]：DuiShengChangPeiYangJiJinXingMieJunChuLiHuoBaShiMieJunChuLiDeFangFaHeZhuangZhiDuiShengChangPeiYangJiJinXingMieJunChuLiHuoBaShiMieJunChuLiDeFangFaHeZhuangZhi

[申请号]：01804308[公开号]：1400911

[公告号]：0000000[申请日期]：20010201

[公开日期]：20030305[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：A01G1/04;A61L2/07

[申请人]：弗朗斯·万登霍夫

[ShenQingRen]：FuLangSi·WanDengHuoFu

[国家省市]：比利时(BE)

[地址]：比利时里克尔-博尔赫隆

[DiZhi]：BiLiShiLiKeEr-BoErHeLong

[邮编]：

[发明人]：弗朗斯·万登霍夫  [FaMingRen]：FuLangSi·WanDengHuoFu

[代理人]：陈剑华  [DaiLiRen]：ChenJianHua

[代理机构]：上海专利商标事务所(31100)[代理地址]：上海市桂平路435号(200233)

[审批历史]：

[页数]：20[附图]：4[优先权]：    法国2000年2月1日00/01334[PCT]：    [范畴]：16F[权利要求]：
    一种不连续的亦即分批地对基质进行至少部分灭菌处理或者均匀和完全的巴氏灭菌处理方法，该方法包括：    －第一步，将所述基质加到中空容器中，该中空容器具有对所述基质进行至少部分灭菌处理或巴氏灭菌处理的装置

[权利要求数]：32

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 本发明涉及对基质进行均匀和至少部分灭菌处理或均匀和完全的巴氏灭菌处理。本方法的第一步是，在容器的第一端使基质通过密闭的中空容器的加料面加到容器中。可将弄湿所述基质的液体导入该容器中，该容器还具有对该增湿的基质进行至少部分灭菌处理或巴氏灭菌处理的装置。在第二步中，使该基质通过有界限的输送区，向该机器的前端输送，直到其到达该机器的另一端。第三步，使该基质通过一个输送区，向该容器的后端输送，这样使其回到第一端，该向前端输送的区和向后端输送的区被一个管状间隔物隔开。在返回输送的过程中，可使该基质滚动。根据需要可重复进行第二步和第三步多次，以获得经均匀和至少部分经灭菌处理或均匀和完全巴氏灭菌处理的输送基质。还描述了一种实施该方法的机器。该机器用于对有机基质如种植植物或蘑菇的生长培养基进行灭菌处理或巴氏灭菌处理。

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