[TiMing]:MaiChongDianYaZaiDengLiZiTiFanYingDuiZhongDeYingYongMaiChongDianYaZaiDengLiZiTiFanYingDuiZhongDeYingYong
[申请号]:01814209[公开号]:1451172
[公告号]:0000000[申请日期]:20010817
[公开日期]:20031022[公告日期]:00000000
[授权日期]:00000000
[专利类型]:发明专利
[国际类型]:H01J37/32
[申请人]:微米技术股份有限公司
[ShenQingRen]:WeiMiJiShuGuFenYouXianGongSi
[国家省市]:美国(US)
[地址]:美国爱达荷州
[DiZhi]:MeiGuoAiDaHeZhou
[邮编]:
[发明人]:K·G·多诺霍 [FaMingRen]:K·G·DuoNuoHuo
[代理人]:李玲 [DaiLiRen]:LiLing
[代理机构]:上海专利商标事务所(31100)[代理地址]:上海市桂平路435号(200233)
[审批历史]:
[页数]:7[附图]:4[优先权]: 美国2000年8月17日09/640.449[PCT]: [范畴]:38D22F[权利要求]:
一种等离子体反应堆,其特征在于,包括含支承半导体衬底的基座的反应腔,以及与所述基座电气连接的电源,其中所述电源适于向所述基座提供电压尖峰。
[权利要求数]:44
[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]: 一种在一部分高压功率偏置振荡循环期间向半导体衬底基座提供正电压尖峰的方法和设备,可以减小或消除特征充电在等离子体反应堆工作期间所产生的不利影响。
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[下一条]:利用固定和调制的电源电压和降压-升压控制的放大系统和方法
