物理气相淀积元件及形成方法WuLiQiXiangDianJiYuanJianJiXingChengFangFa

[TiMing]：WuLiQiXiangDianJiYuanJianJiXingChengFangFaWuLiQiXiangDianJiYuanJianJiXingChengFangFa

[申请号]：01818145[公开号]：1551927

[公告号]：0000000[申请日期]：20011026

[公开日期]：20041201[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：C22F1/10;C23C14/34

[申请人]：霍尼韦尔国际公司

[ShenQingRen]：HuoNiWeiErGuoJiGongSi

[国家省市]：美国(US)

[地址]：美国新泽西州

[DiZhi]：MeiGuoXinZeXiZhou

[邮编]：

[发明人]：M·S·库珀  [FaMingRen]：M·S·KuZuo

[代理人]：肖春京;章社杲  [DaiLiRen]：XiaoChunJing,ZhangSheZuo

[代理机构]：中国专利代理(香港)有限公司(72001)[代理地址]：香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()

[审批历史]：

[页数]：6[附图]：1[优先权]：    美国2000年10月27日09/699,897[PCT]：    [范畴]：[权利要求]：
    一种物理气相淀积（ＰＶＤ）元件形成方法，包括在元件中引起足够量的应力，以与引起应力之前所述元件表现的磁通量相比增大磁通量。

[权利要求数]：0

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 一种物理汽相淀积元件形成方法，包括在元件中引起足够量的应力，以与引起应力之前所述元件表现出的通量相比，增大磁通量。该方法可还包括在引起应力之前以（２００）确定元件的主要晶体结构取向，其中，引起的应力自身不足以大大改变表面晶粒外观。取向结构可以包括将元件毛坯第一冷加工成截面积减小至少约８０％。冷加工后的元件毛坯可以至少在元件毛坯的最低重结晶温度下热处理。引起应力可以包括第二冷加工，将截面积减小约热处理后元件的５％到１５％。第一和第二冷加工中的至少一种可以是单向的。

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