[TiMing]：DengLiZiTiYuanJiShiYongGaiDengLiZiTiYuanDeLiZiZhuRuZhuangZhi
[申请号]：00104533[公开号]：1269692
[公告号]：1191741[申请日期]：20000202
[公开日期]：20001011[公告日期]：00000000
[授权日期]：20050302
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：H05H1/24;H05H3/02;H01J27/18;H01J37/08;C23C14/48
[申请人]：日新电机株式会社
[ShenQingRen]：RiXinDianJiZhuShiHuiShe
[国家省市]：日本(JP)
[地址]：日本京都府
[DiZhi]：RiBenJingDuFu
[邮编]：
[发明人]：酒井滋树;高桥正人 [FaMingRen]：JiuJingZiShu、GaoQiaoZhengRen
[代理人]：叶恺东 [DaiLiRen]：YeZuoDong
[代理机构]：中国专利代理(香港)有限公司(72001)[代理地址]：香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()
[审批历史]：
[页数]：5[附图]：4[优先权]： 日本1999年2月2日25024/99[PCT]：[范畴]：39D[权利要求]：
一种等离子体源，在导入微波的等离子体室容器内利用电子的回旋共振生成等离子体，从设置在等离子体室容器的前面部分的等离子体发射孔中发射该等离子体，其特征在于，配有磁场发生装置，该磁场发生装置在所述等离子
[权利要求数]：0
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 防止在发射的等离子体中包含高能量的电子。等离子体源２ａ配有电磁铁４０（磁场发生装置），该电磁铁在等离子体室容器内，在与等离子体发射孔８的等离子体发射方向２２交叉的方向上产生引起电子回旋共振的磁场Ｂ。
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