[TiMing]：NeiBiaoMianLiZiZhuRuZhuangZhiNeiBiaoMianLiZiZhuRuZhuangZhi
[申请号]：00106153[公开号]：1320948
[公告号]：0000000[申请日期]：20000427
[公开日期]：20011107[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[国际类型]：H01J37/317;H01L21/265
[申请人]：香港城市大学
[ShenQingRen]：XiangGangChengShiDaXue
[国家省市]：香港(HK)
[地址]：香港九龙达之路
[DiZhi]：XiangGangJiuLongDaZhiLu
[邮编]：
[发明人]：朱剑豪;刘爱国;曾旭初 [FaMingRen]：ZhuJianHao、LiuAiGuo、ZengXuChu
[代理人]：李强;郑特强 [DaiLiRen]：LiQiang,ZhengTeQiang
[代理机构]：隆天国际专利商标代理有限公司(72003)[代理地址]：香港干诺道中168-200号信德中心西翼15楼1512室()
[审批历史]： 2004年7月14日视撤日
[页数]：5[附图]：5[优先权]：[PCT]：[范畴]：38D39D[权利要求]：
一种等离子体浸没的内表面离子注入装置，包括：真空室，等离子体产生器，安装于真空室内的筒状体，以及靶台，其特征是： 一个辅助电极，沿所述筒状体内的轴线配置，并且所述辅助电极的两端同所述真空室壁连接；
[权利要求数]：6
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 一种等离子体浸没的内表面离子注入装置，包括：真空室，等离子体产生器，安装于真空室内的筒状体，以及靶台，其中一个辅助电极沿所述筒状体内的轴线配置，并且所述辅助电极的两端同所述真空室壁连接；一个导电棒，将所述筒状体支撑固定在所述靶台上；以及一个脉冲偏压发生器，正端接到所述靶台的所述的筒状体上。本离子注入装置通过辅助电极产生的偏转电场来提高内表面离子注入深度和保留剂量，达到工件表面强化的要求。
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