离子注入装置和使用该装置的离子注入方法LiZiZhuRuZhuangZhiHeShiYongGaiZhuangZhiDeLiZiZhuRuFangFa

[题名]：离子注入装置和使用该装置的离子注入方法LiZiZhuRuZhuangZhiHeShiYongGaiZhuangZhiDeLiZiZhuRuFangFa

[TiMing]：LiZiZhuRuZhuangZhiHeShiYongGaiZhuangZhiDeLiZiZhuRuFangFaLiZiZhuRuZhuangZhiHeShiYongGaiZhuangZhiDeLiZiZhuRuFangFa

[申请号]：00129575[公开号]：1290029

[公告号]：0000000[申请日期]：20000929

[公开日期]：20010404[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：H01L21/265

[申请人]：日本电气株式会社

[ShenQingRen]：RiBenDianQiZhuShiHuiShe

[国家省市]：日本(JP)

[地址]：日本东京

[DiZhi]：RiBenDongJing

[邮编]：

[发明人]：松田宏生 [FaMingRen]：SongTianHongSheng

[代理人]：穆德骏;方挺 [DaiLiRen]：MuDeJun,FangTing

[代理机构]：中原信达知识产权代理有限责任公司(11219)[代理地址]：北京市朝阳区建国路99号中服大厦1300室(100020)

[审批历史]： 2004年7月14日视撤日

[页数]：5[附图]：2[优先权]：日本1999年9月29日277051/1999[PCT]：[范畴]：38F[权利要求]：
一种离子注入装置，包括：腔室；和压力控制器，用于在离子注入工艺期间保持所述腔室的内部压力不低于１Ｅ－４乇。

[权利要求数]：7

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 本发明提供的离子注入装置包括：腔室；以及压力控制器，用于在离子注入工艺期间保持腔室的内部压力不低于１Ｅ－４乇。

[相关文献]：更多相似文献