[TiMing]：YiZhongPengSuanLvJingXuDeZhiBeiFangFaYiZhongPengSuanLvJingXuDeZhiBeiFangFa
[申请号]：200410012603[公开号]：1556260
[公告号]：0000000[申请日期]：20040102
[公开日期]：20041222[公告日期]：00000000
[授权日期]：00000000
[专利类型]：发明专利
[申请人]：武汉理工大学
[ShenQingRen]：WuHanLiGongDaXue
[国家省市]：武汉(83)
[地址]：湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
[DiZhi]：HuBeiShengWuHanShiHongShanQuZuoShiLu122Hao
[邮编]：430070
[发明人]：张东明;傅正义;郭景坤;俞仕杰;李佑俊 [FaMingRen]：ZhangDongMing、FuZhengYi、GuoJingKun、YuShiJie、LiYouJun
[代理人]：唐万荣 [DaiLiRen]：TangWanRong
[代理机构]：湖北省专利事务所(42102)[代理地址]：湖北省武汉市武昌八一路214号(430072)
[审批历史]：
[页数]：4[附图]：2[优先权]：[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
一种硼酸铝晶须的制备方法，其特征是包括下述步骤：１）．原料的选取：ａ）．平均粒径为５０～８０ｎｍ的ＴｉＢ↓［２］粉末与固相特纯级工业硫酸铝铵［ＮＨ↓［４］Ａｌ（ＳＯ↓［４］）↓［２］．１２Ｈ↓［２］
[权利要求数]：1
[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com
[摘要]： 本发明涉及一种硼酸铝晶须的制备方法。一种硼酸铝晶须的制备方法，利用固相反应方法制备硼酸铝晶须，其特征是：利用［ＮＨ＃－［４］Ａｌ（ＳＯ＃－［４］）＃－［２］·１２Ｈ＃－［２］Ｏ］和ＮＨ＃－［４］ＨＣＯ＃－［３］，为原料制备Ａｌ＃－［２］Ｏ＃－［３］前驱体，将这种前驱体包覆在纳米ＴｉＢ＃－［２］表面，形成复合粒子；在加热过程中，纳米ＴｉＢ＃－［２］中的Ｂ被氧化为Ｂ＃－［２］Ｏ＃－［３］，这种Ｂ＃－［２］Ｏ＃－［３］颗粒细小，呈无定形态，活性很强，并被吸附在絮状Ａｌ＃－［２］Ｏ＃－［３］前驱体内；随着加热温度的升高，在１０００℃～１２００℃复合粒子逐渐生长为硼酸铝晶须。本发明在１０００℃～１２００℃的低温度下，通过固相反应获得硼酸铝晶须。
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