热门关键字：

与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法YuJiChengDianLuGongYiJianRongDeSanWeiWeiJieGouMoYaKeShiFangFa

[题名]：与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法YuJiChengDianLuGongYiJianRongDeSanWeiWeiJieGouMoYaKeShiFangFa

[TiMing]：YuJiChengDianLuGongYiJianRongDeSanWeiWeiJieGouMoYaKeShiFangFaYuJiChengDianLuGongYiJianRongDeSanWeiWeiJieGouMoYaKeShiFangFa

[申请号]：200410012626[公开号]：1556027

[公告号]：0000000[申请日期]：20040106

[公开日期]：20041222[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：B81C5/00;H01L21/306

[申请人]：华中科技大学

[ShenQingRen]：HuaZhongKeJiDaXue

[国家省市]：武汉(83)

[地址]：湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

[DiZhi]：HuBeiShengWuHanShiHongShanQuZuoYuLu1037Hao

[邮编]：430074

[发明人]：王志勇;刘胜;张鸿海;贺德建;胡晓峰;汪学方;陈志凌;马斌  [FaMingRen]：WangZhiYong、LiuSheng、ZhangHongHai、HeDeJian、HuXiaoFeng、WangXueFang、ChenZhiLing、MaBin

[代理人]：朱仁玲  [DaiLiRen]：ZhuRenLing

[代理机构]：华中理工大学专利事务所(42201)[代理地址]：湖北省武汉市武昌珞喻路151号(430074)

[审批历史]：

[页数]：5[附图]：6[优先权]：[PCT]：[范畴]：[权利要求]：
    一种与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法，其特征在于，包括：　　　　（１）根据三维结构模型，在计算机中生成模具的三维ＣＡＤ模型，然后将该三维模型切片，形成记录一系列模具截面薄层信息的切片文件；

[权利要求数]：1

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 本发明公开了一种与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法。该方法是利用叠层原理制造具有任意曲面的三维模压刻蚀模具，然后将该三维模具对衬底上的软质材料层进行模压刻蚀，得到微系统的三维结构。该方法的关键技术三维模具的制造，是通过叠层制造的方法获得，其中每一单层的制作属于二维平面结构制造，因此与集成电路工艺完全兼容；将对准过程集中在三维模具的制作过程中一次完成，降低了模压刻蚀工艺对套刻对准需求，提高了生产效率。此外，可以使用一块三维模具对不同材料多次重复使用，进行大批量生产，进一步降低了成本。

[相关文献]：更多相似文献

  • 与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法
  • 基于厚胶光刻的三维微结构加工方法
  • 与微机电系统工艺兼容的参比电极的制备方法
  • 集成电路的电容结构及其制造方法
  • 高速三维集成电路有源层结构及制作方法
  • 集成电路元件的安装结构与安装方法
  • 三维蚀刻方法
  • 阵列式集成电路光刻系统中的精密工作台结构
  • 用于监测—蚀刻工艺的方法与系统
  • 与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法

    • [在baidu中查找]：与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法YuJiChengDianLuGongYiJianRongDeSanWeiWeiJieGouMoYaKeShiFangFa

    [在google中查找]：与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法YuJiChengDianLuGongYiJianRongDeSanWeiWeiJieGouMoYaKeShiFangFa

    [上一条]：试验结果可转换标度的全数字式维氏硬度计

    [下一条]：分离式三层真空电热保温器皿

    [打印] [关闭] 来源:patents.dic123.com 专利查询 http://patents.dic123.com
    专利查询 © 2004-2008 在线翻译 在线专利,专利查询 http://patents.dic123.com