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脉冲等离子体处理方法及其设备MaiChongDengLiZiTiChuLiFangFaJiQiSheBei

[题名]:脉冲等离子体处理方法及其设备MaiChongDengLiZiTiChuLiFangFaJiQiSheBei

[TiMing]:MaiChongDengLiZiTiChuLiFangFaJiQiSheBeiMaiChongDengLiZiTiChuLiFangFaJiQiSheBei

[申请号]:00811329[公开号]:1369021

[公告号]:0000000[申请日期]:20000809

[公开日期]:20020911[公告日期]:00000000

[授权日期]:00000000

[专利类型]:发明专利

[国际类型]:C23C14/34;C23C16/00;C23F1/02

[申请人]:东京电子株式会社

[ShenQingRen]:DongJingDianZiZhuShiHuiShe

[国家省市]:日本(JP)

[地址]:日本东京

[DiZhi]:RiBenDongJing

[邮编]:

[发明人]:怀恩·L·约翰逊;艾理克·斯特郎  [FaMingRen]:HuaiEn·L·YueHanXun、AiLiKe·SiTeLang

[代理人]:王永刚  [DaiLiRen]:WangYongGang

[代理机构]:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)[代理地址]:北京市阜成门外大街2号8层(100037)

[审批历史]:

[页数]:32[附图]:20[优先权]:    美国1999年8月17日60/149,177[PCT]:    [范畴]:23D38F[权利要求]:
    一种在反应器室中的基片上进行等离子体辅助处理的方法,包括:    将至少一种处理气体引入到反应器室中;    通过在该室内建立RF电磁场并使该场和处理气体相互作用而在该反应器室中产生等离子体;以及    使该电

[权利要求数]:26

[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]: 在对反应室(2)的基片进行等离子辅助处理的方法中,通过:将至少一种处理气体引入反应室(2)内;并通过在反应室(2)内建立RF电磁场以及使该场和处理气体相互作用,在反应室(2)内产生等离子体,控制该电磁场有一在至少两值间循环变化的能量值,每一能量值足以维持该等离子体,这样每一能量值和基片(8)上的各自不同的处理过程的执行相联系。

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