用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO*-x薄膜的方法及其应用YongDengLiZiTiJinMeiLiZiZhuRuFangFaZaiCaiLiaoBiaoMianXingChengTiO*-xBaoMoDeFangFaJiQiYingYong

[题名]：用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO*-x薄膜的方法及其应用YongDengLiZiTiJinMeiLiZiZhuRuFangFaZaiCaiLiaoBiaoMianXingChengTiO*-xBaoMoDeFangFaJiQiYingYong

[TiMing]：YongDengLiZiTiJinMeiLiZiZhuRuFangFaZaiCaiLiaoBiaoMianXingChengTiO*-xBaoMoDeFangFaJiQiYingYongYongDengLiZiTiJinMeiLiZiZhuRuFangFaZaiCaiLiaoBiaoMianXingChengTiO*-xBaoMoDeFangFaJiQiYingYong

[申请号]：00817704[公开号]：1413269

[公告号]：0000000[申请日期]：20001225

[公开日期]：20030423[公告日期]：00000000

[授权日期]：00000000

[专利类型]：发明专利

[国际类型]：A61F2/24;A61L27/02;A61M1/10;C23C14/06;C23C14/08

[申请人]：西南交通大学

[ShenQingRen]：XiNanJiaoTongDaXue

[国家省市]：中国(CN)

[地址]：中国四川省成都市二环路北一段111号

[DiZhi]：ZhongGuoSiChuanShengChengDuShiErHuanLuBeiYiDuan111Hao

[邮编]：

[发明人]：黄楠;杨萍;冷永祥;陈俊英;孙鸿;王进;万国江  [FaMingRen]：HuangZuo、YangPing、LengYongXiang、ChenJunYing、SunHong、WangJin、WanGuoJiang

[代理人]：王岳;梁永  [DaiLiRen]：WangYue,LiangYong

[代理机构]：中国专利代理(香港)有限公司(72001)[代理地址]：香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()

[审批历史]：

[页数]：1[附图]：5[优先权]：    中国1999年12月23日99117468.2[PCT]：    [范畴]：23D25F16E[权利要求]：
    

[权利要求数]：66

[来源]： 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]： 本发明涉及一种用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成ＴｉＯ＃－［２－ｘ］薄膜的方法及其应用。所述方法包括：将待沉积薄膜的材料置于等离子体浸没离子注入装置的真空室中的工作台上，在该真空室中以氧气为气氛环境，其中氧气以等离子体方式存在；以金属孤等离子体方式将钛、钛－钽或者钛－铌等离子体引入该真空室中；向工作台施加频率为５００－５００００赫兹的负电压脉冲，其脉冲电压幅值在０．１－１０千伏，从而在材料表面形成ＴｉＯ＃－［２－ｘ］薄膜或者钽或铌掺杂的ＴｉＯ＃－［２－ｘ］薄膜，其中ｘ约为０－０．３５。当所述材料用于人工器官或者植入人体中的与血液相接触的器械时，可以显著地改善其血液相容性。

[相关文献]：更多相似文献

用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成T

用于材料表面改性的等离子体浸没离子注入装置

应用微波等离子体CVD连续形成大面积实用淀

等离子体源材料内表面离子注入装置

热等离子体雾态气化制备Ba*Sr*Tio*

脉冲阳极等离子体浸没注入

绝缘材料零部件等离子体注入方法及其注入装置

在用于等离子体显示面板的玻璃衬底上形成氧化

电子发射性薄膜和用它的等离子体显示面板及其

电子发射性薄膜和用它的等离子体显示面板及其

[在baidu中查找]：用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO*-x薄膜的方法及其应用YongDengLiZiTiJinMeiLiZiZhuRuFangFaZaiCaiLiaoBiaoMianXingChengTiO*-xBaoMoDeFangFaJiQiYingYong

[在google中查找]：用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO*-x薄膜的方法及其应用YongDengLiZiTiJinMeiLiZiZhuRuFangFaZaiCaiLiaoBiaoMianXingChengTiO*-xBaoMoDeFangFaJiQiYingYong

[上一条]：用于浸渍电机的绕组线棒的绝缘体的装置

[下一条]：识别在一个信号传感器上极性改变的方法和装置