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离子注入装置LiZiZhuRuZhuangZhi

[题名]:离子注入装置LiZiZhuRuZhuangZhi

[TiMing]:LiZiZhuRuZhuangZhiLiZiZhuRuZhuangZhi

[申请号]:99105772[公开号]:1232286

[公告号]:0000000[申请日期]:19990413

[公开日期]:19991020[公告日期]:00000000

[授权日期]:00000000

[专利类型]:发明专利

[国际类型]:C23C14/48;H01J37/317;H01L21/265

[申请人]:日本电气株式会社

[ShenQingRen]:RiBenDianQiZhuShiHuiShe

[国家省市]:日本(JP)

[地址]:日本东京

[DiZhi]:RiBenDongJing

[邮编]:

[发明人]:三平润  [FaMingRen]:SanPingRun

[代理人]:穆德骏;黄敏  [DaiLiRen]:MuDeJun,HuangMin

[代理机构]:中原信达知识产权代理有限责任公司(11219)[代理地址]:北京市朝阳区建国路99号中服大厦1300室(100020)

[审批历史]:    2004年9月1日视为放弃日

[页数]:9[附图]:11[优先权]:    日本1998年4月15日105177/1998[PCT]:[范畴]:38F[权利要求]:
    一种离子注入装置,该装置具有晶片盘,晶片盘具有用以支持多个晶片的多个晶片夹持器,并在所述晶片盘进行旋转和往复运动的同时对每个晶片进行离子注入,所述装置包括:    控制装置,用于通过沿晶片径向的往复运动

[权利要求数]:4

[来源]: 专利查询 http://patents.dic123.com patents.dic123.com

[摘要]: 提供不需要假晶片并且能够降低制造成本和提高生产率的离子注入装置。该离子注入装置带有与晶片盘上的各晶片夹持器连接的夹持臂,夹持臂可使晶片夹持器沿晶片盘径向移动。离子注入装置还带有控制单元,它控制扫描位置,以便用离子束照射晶片。

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