- 晶片边缘刻蚀设备及方法
- [地址]韩国京畿道 [申请人]三星电子株式会社 [公开号]1595618 [国家省市]韩国(KR) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 一种用于刻蚀半导体晶片边缘的晶片边缘刻蚀设备和方法，包括布置在半导体晶片下面且作为支撑半导体晶片的载物台的底电极。一种刻蚀半导体晶片的方法，包括：将半导体晶片插入室中，增加室内的压力，将至少一种蚀刻剂气体供应到室，同时进一步增加压力，提供电源到室，并在半导体晶片的边缘圈或背面刻蚀半导体晶片，中止电源和蚀刻剂气体，用通风气体对室进行通风，以及从室净化通风气体。
- 发明人：崔昶源;金太龙;金宗范;徐廷宇;边昌柱代理人：林宇清;谢丽娜代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司(11219)专利类型：发明专利
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