斋田喜孝 -专利

Si蚀刻方法及蚀刻装置: [地址]日本东京都 [申请人]东京毅力科创株式会社 [公开号]1490849 [国家省市]日本(JP) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 本发明涉及在Ｓｉ蚀刻中可达到较高的长宽比和提高蚀刻速度的Ｓｉ蚀刻方法及蚀刻装置。它是通过由处理气体供给部（４２）将Ｃｌ＃－［２］／Ｏ＃－［２］／ＮＦ＃－［３］混合气体作为蚀刻气体导入腔室（１０）内，在以滞留时间为约１８０ｍｓｅｃ以上的条件下进行蚀刻处理。由第１高频电源（５８）将６０ＭＨｚ附近的高频以规定的功率施加到上部电极（３０），同时，由第２高频电源（６４）将２ＭＨｚ附近的高频....; 发明人：斋田喜孝;山口雅司代理人：龙淳代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司(11245)专利类型：发明专利

处理方法和处理系统: [地址]日本东京都 [申请人]东京毅力科创株式会社 [公开号]1574242 [国家省市]日本(JP) [国际分类]G01B11/00、G03F7/26、G03F7/42、H01L21/027、H01L21/306、H01L21/66 [摘要] 本发明提供能够用散射测量法非破坏地正确评价预定处理后的被处理体的表面构造的处理方法和处理系统。处理系统（１）备有减压处理装置（１０）、液体处理装置（２０）、构造判别装置（３０）和系统控制装置（４０）。减压处理装置（１０）将抗蚀剂图案作为掩模对晶片实施蚀刻处理。通过该蚀刻处理在晶片表面上附着聚合物等的不要部位。液体处理装置（２０）除去附着在晶片表面上的不要部位。构造判别装置（３０）用椭圆偏光等的散射测量法判别除去不要部位的晶片的表面构造。; 发明人：大野刚;菊池俊彦;守屋真知;斋田喜孝代理人：龙淳代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司(11245)专利类型：发明专利

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