水野秀树 -专利

芯片型半导体装置的制造方法: [地址]日本国东京都 [申请人]日本电气株式会社 [公开号]1199924 [国家省市]日本(JP) [国际分类]H01L21/56、H01L23/12 [摘要] 一种芯片型半导体装置的制造方法，是在半导体晶片表面形成多个半导体元件的电极上形成了金属补片后，粘合在印刷电极图形的绝缘性基片的表面，使半导体元件的金属补片和绝缘性基片的电极图形接合。绝缘性基片和半导体晶片的尺寸、形状相同。接着，仅将半导体晶片按半导体元件的尺寸切断分别。然后，在切割成小方块切口灌入密封树脂，遮蔽被分割的半导体元件，使树脂硬化后，将树脂随着绝缘性基片按每个器件切断、分割。; 发明人：水野秀树;德永一直代理人：汪惠民代理机构：中科专利商标代理有限责任公司(11021)专利类型：发明专利

一种半导体器件引线框架及引线接合法: [地址]日本国东京都 [申请人]日本电气株式会社 [公开号]1197292 [国家省市]日本(JP) [国际分类]H01L21/60、H01L23/48、H01L23/495、H01L23/50 [摘要] 一种引线框架及一种引线接合方法，每个引线具有一个通过凸块及支承芯片安装部位的引线主体电连接到该半导体芯片的芯片安装部位。当侧视时，从引线主体到凸块之间的引线通道向Ｘ、Ｙ、Ｚ三个方向弯折，使得引线主体的末端与该芯片安装部位分别位于不同的水平面上。当俯视时，引线主体与芯片安装部位或一个直角，形成“Ｌ”状。; 发明人：水野秀树;金元慎典代理人：刘晓峰代理机构：中科专利商标代理有限责任公司(11021)专利类型：发明专利

等离子体蚀刻方法: [地址]日本东京都 [申请人]东京毅力科创株式会社 [公开号]1595619 [国家省市]日本(JP) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在２００ｎｍ以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如ＳｉＯ＃－［２］膜的孔的条痕。使Ｃ＃－［４］Ｆ＃－［８］气体、Ｃ＃－［４］Ｆ＃－［６］气体和Ｃ＃－［５］Ｆ＃－［８］气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在０．１以上。; 发明人：加藤和也;小野胜彦;水野秀树;小笠原正宏;北村彰规;小林典之;稻田靖;冈本晋代理人：龙淳;王雪燕代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司(11245)专利类型：发明专利

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