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先驱体浸渍裂解制备BN／SiO2复合陶瓷的方法: [地址]黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 [申请人]哈尔滨工业大学 [公开号]1562885 [国家省市]哈尔滨(93) [国际分类]C04B35/583、C04B35/5835、C04B35/622、C04B41/84 [摘要] 先驱体浸渍裂解制备ＢＮ／ＳｉＯ＃－［２］复合陶瓷的方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。现有的热压烧结方法存在组织呈现定向排列、性能表现为各向异性等缺点。本发明方法包括：ａ．以Ｂ和ＢＮ粉末为原料加工成型；ｂ．在一个氮气大气压的气氛中烧结，烧结温度为１５００℃～１６００℃，保温时间４～５小时，得到多孔氮化硼陶瓷；ｃ．浸渍聚碳硅烷溶液，在抽真空的条件下室温浸渍３２～４０小时；ｄ．８００....; 发明人：温广武;王静;宋亮代理人：张伟代理机构：黑龙江省松花江专利事务所(23109)专利类型：发明专利

C/W2B5复合材料的制备方法: [地址]黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 [申请人]哈尔滨工业大学 [公开号]1562882 [国家省市]哈尔滨(93) [国际分类]C04B35/56、C04B35/563、C04B35/622 [摘要] Ｃ／Ｗ＃－［２］Ｂ＃－［５］复合材料的制备方法，它是一种Ｃ／Ｗ＃－［２］Ｂ＃－［５］复合材料的制备方法。它的操作步骤为：ａ．以粒径为０．１μｍ～２０μｍ的Ｂ＃－［４］Ｃ粉末，粒径为０．１μｍ～２０μｍ的ＷＣ粉末，粒径为１５ｎｍ～２００ｎｍ的碳黑粉末为原料，Ｂ＃－［４］Ｃ∶ＷＣ∶碳黑的摩尔比为（４～６）∶（７～９）∶（０～１２０），按常规工艺混料；ｂ．将混合好的物料装入石墨模具中；....; 发明人：温广武;吕毅;宋亮代理人：汪振中代理机构：黑龙江省松花江专利事务所(23109)专利类型：发明专利

一种高温结构陶瓷材料SiBONC及其制备方法: [地址]黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 [申请人]哈尔滨工业大学 [公开号]1562866 [国家省市]哈尔滨(93) [国际分类]C04B35/01、C04B35/622、C04B35/64 [摘要] 一种高温结构陶瓷材料ＳｉＢＯＮＣ及其制备方法，涉及一种陶瓷材料及其制备工艺。本发明中涉及到的材料是由Ｓｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎ、Ｃ组成的非晶与微晶陶瓷，其中Ｓｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎ、Ｃ的摩尔比为（１～６）∶１∶（２～８）∶（１～２）∶（０．２～０．５）。它按照下述步骤进行制备：ａ．将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚合物；ｂ．向硅氧聚合物中加入烷基胺，得到Ｓｉ－Ｏ－Ｎ有机聚合物；ｃ....; 发明人：温广武;李峰;张俊宝;宋亮代理人：单军代理机构：黑龙江省松花江专利事务所(23109)专利类型：发明专利

一种Al4SiC4陶瓷的制备方法: [地址]黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 [申请人]哈尔滨工业大学 [公开号]1562881 [国家省市]哈尔滨(93) [国际分类]C04B35/56、C04B35/622、C04B35/64 [摘要] 本发明公开一种Ａｌ＃－［４］ＳｉＣ＃－［４］陶瓷的制备方法。各组分重量比是：铝粉∶石墨粉∶聚碳硅烷＝（２～４）∶（０．２～３．８）∶（１～５），制备步骤是：（一）首先将铝粉与石墨粉充分混合；同时将聚碳硅烷溶于有机溶剂中，然后将混好的铝与石墨混合粉放置于聚碳硅烷的有机溶液中，升温搅拌直至有机溶剂完全挥发。（二）取出烘干的粉料在氩气保护下于８００℃～１４００℃裂解。（三）裂解后的物料....; 发明人：温广武;黄小萧;宋亮代理人：牟永林代理机构：黑龙江省松花江专利事务所(23109)专利类型：发明专利

一种熔石英陶瓷材料: [地址]北京市学院南路76号 [申请人]冶金工业部钢铁研究总院 [公开号]1160031 [国家省市]北京(11) [国际分类]C04B35/14 [摘要] 本发明属于防热陶瓷领域。特别适合于制备各种高强度防热陶瓷部件。在本发明熔石英陶瓷材料中是以ＳｉＯ↓［２］为基并加入１－８％ＢＮ，使该材料的析晶温度提高至１４００℃，为提高材料的抗弯强度，还可在该材料中加入１０－２０％的短碳纤维Ｃｓｆ或碳化硅晶须ＳｉＣｗ中的任一种原料。本发明材料与现有技术相比较不但综合性能好，而且析晶温度具有明显的提高。; 发明人：韩欢庆;葛启录;雷廷权;温广武;周玉代理人：金向荣代理机构：北京科技大学专利代理事务所(11207)专利类型：发明专利

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