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键盘扫描电路
[地址]广东省佛山市顺德区容桂镇容港路8号  [申请人]广东科龙电器股份有限公司  [公开号]00000000  [国家省市]广东(44)  [国际分类]G06F3/023  [摘要]  一种适用于微机应用系统的键盘扫描电路，包括按Ｎ行、Ｎ列排列的Ｎ×Ｎ个按键，接在各个列扫描线上的接地电阻Ｒ＃－［１］．．．．．．Ｒ＃－［Ｎ］，每一根行扫描线通过第二组开关二极管（Ｖ＃－［Ｎ＋１］，．．．．．．，Ｖ＃－［２Ｎ］）接到同一个Ｉ／Ｏ口，所述同一个Ｉ／Ｏ口通过第Ｎ＋１电阻（Ｒ＃－［Ｎ＋１］）接地，每一根行扫描线还同时通过第一组开关二极管（Ｖ＃－［１］，．．．．．．，Ｖ＃－［....  
发明人：胡正明代理人：郭伟刚;蔡晓红代理机构：深圳市顺天达专利商标代理有限公司(44217)专利类型：实用新型
黄精饮料及其制备方法
[地址]江西省南昌市养济院巷187号  [申请人]胡正明  [公开号]1192337  [国家省市]江西(36)  [国际分类]A23L2/38、A61K35/78  [摘要]  一种黄精饮料，由百合科植物黄精或多花黄精的干燥地下根茎注水蒸煮的提取液组成，其制备方法依序为原料预处理→注水蒸提→过滤→浓缩→调配→灌装→杀菌→冷却→饮料成品。构思新颖，原料丰富，制备简易，服用方便，制品微甘爽口，类似咖啡风味，无药味，且无任何毒副作用，是人们乐于接受且长期服用的功能性饮料。可以充分发挥纯天然药用植物的药用与食用价值，具有预防疾病、治疗疾病和促进康复的显著效果。   
发明人：胡正明代理人：代理机构：(00000)专利类型：发明专利
钢轨运输转向架
[地址]江西省贵溪火车站  [申请人]胡正明  [公开号]00000000  [国家省市]江西(36)  [国际分类]E01B26/00  [摘要]  本实用新型涉及一种超长钢轨运输转向架，属铁路车辆领域。它包括二个可活动的转盘和四个可活动的垫梁，采用六支点法进行装载，本实用新型结构合理简便，制作容易，成本低廉，经久耐用，重心低，稳定性好，安全可靠。   
发明人：胡正明代理人：陈守国代理机构：南昌市专利事务所(36111)专利类型：实用新型
具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法
[地址]台湾省新竹科学工业园区  [申请人]台湾积体电路制造股份有限公司  [公开号]1519900  [国家省市]台湾(71)  [国际分类]H01L21/336、H01L21/8234、H01L27/092、H01L29/772  [摘要]  本发明提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法。本发明的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中，岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上，且岛状的应变硅主动层彼此分隔。   
发明人：杨育佳;胡正明代理人：李强代理机构：北京三友专利代理有限责任公司(11127)专利类型：发明专利
具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法
[地址]台湾省新竹科学工业园区  [申请人]台湾积体电路制造股份有限公司  [公开号]1519900  [国家省市]台湾(71)  [国际分类]H01L21/336、H01L21/8234、H01L27/092、H01L29/772  [摘要]  本发明提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法。本发明的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中，岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上，且岛状的应变硅主动层彼此分隔。   
发明人：杨育佳;胡正明代理人：李强代理机构：北京三友专利代理有限责任公司(11127)专利类型：发明专利
具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构及其制造方法
[地址]中国台湾  [申请人]台湾积体电路制造股份有限公司  [公开号]1531066  [国家省市]台湾(71)  [国际分类]H01L21/762、H01L21/84、H01L27/12  [摘要]  一种具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构包含，一基材，一埋入绝缘堆栈层覆盖于基材之上，与一半导体层覆盖于埋入绝缘堆栈层之上。此基材包含一硅基材。而埋入绝缘堆栈层包含至少一凹陷抵抗层覆盖于一第一介电层。半导体层由硅、应变硅或硅锗材料所构成。埋入绝缘堆栈层更可包含由氧化硅所构成的一第二介电层覆盖于凹陷抵抗层。而第一介电层由氧化硅所构成。此结构的制造方法利用晶圆结合与分离的制程，以形成具有凹陷抵抗层在绝缘层上有半导体的基材上。   
发明人：杨育佳;胡正明代理人：王铮代理机构：隆天国际专利商标代理有限公司(72003)专利类型：发明专利
电容装置及其制造方法
[地址]台湾省新竹科学工业园区  [申请人]台湾积体电路制造股份有限公司  [公开号]1577856  [国家省市]台湾(71)  [国际分类]H01L23/58、H01L27/04、H03H1/02  [摘要]  本发明揭示一种形成于半导体基底上的去耦合电容装置。上述半导体基底包括一应变硅层；一实质上为平面的下电极形成于部分应变硅层中以及一电容介电层形成于下电极上；一实质上为平面的上电极形成于电容介电层之上；上述上电极连接至第一参考电压线，以及下电极连接至第二参考电压线。   
发明人：杨育佳;胡正明代理人：王一斌代理机构：北京三友专利代理有限责任公司(11127)专利类型：发明专利
浸没式光刻系统和制造半导体元件的方法
[地址]台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号  [申请人]台湾积体电路制造股份有限公司  [公开号]1624588  [国家省市]台湾(71)  [国际分类]G03F7/20、H01L21/00  [摘要]     
发明人：杨育佳;胡正明代理人：刘新宇代理机构：(11277)专利类型：发明专利
半导体装置及其制造方法以及静电放电保护电路
[地址]台湾省新竹科学工业园区  [申请人]台湾积体电路制造股份有限公司  [公开号]1624927  [国家省市]台湾(71)  [国际分类]H01L29/00、H01L27/00、H01L21/00、H01L23/60  [摘要]     
发明人：杨育佳;胡正明代理人：王一斌代理机构：北京三友专利代理有限责任公司(11127)专利类型：发明专利
电容器及其制造方法
[地址]台湾省新竹科学工业园区  [申请人]台湾积体电路制造股份有限公司  [公开号]1577866  [国家省市]台湾(71)  [国际分类]H01L21/00、H01L21/762、H01L21/8239、H01L27/00、H01L27/105  [摘要]  本发明是关于一种电容器及其制造方法，其结构包括：一绝缘层，覆盖于一基材上；一半导体层，覆盖于绝缘层上；一下电极，形成于部分的半导体层内；一电容介电层，覆盖于下电极上，其中电容介电层包含具有介电常数大于５的高介电常数介电材料；以及一上电极，覆盖于电容介电层上。   
发明人：杨育佳;胡正明代理人：王一斌代理机构：北京三友专利代理有限责任公司(11127)专利类型：发明专利
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