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磁控溅射装置
[地址]日本神奈川县横滨市  [申请人]日本胜利株式会社  [公开号]1603456  [国家省市]日本(JP)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]  提供一种结构简单，具有使用效率高的靶的磁控溅射装置。由以下部分构成：真空腔（２）；阴极（４），位于所述真空腔（２）内部，保持靶（３）；阳极（６），位于阴极（４）的上方，保持与阴极（４）的靶（３）侧相对的基板（５）；永久磁铁（７），位于阴极（４）的下方，用于产生磁场；和旋转控制装置（１２），以靶（３）的中心为轴，使所述永久磁铁（７）旋转，永久磁铁（７）由以下部分构成：底部（８），用....  
发明人：井关隆之代理人：谢丽娜;关兆辉代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司(11219)专利类型：发明专利
阴极溅射设备
[地址]联邦德国阿尔策瑙  [申请人]应用菲林股份有限两合公司  [公开号]1580319  [国家省市]联邦德国(DE)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]  本发明涉及一种为了在真空中涂覆基底而阴极溅射的设备，该设备包括载体和冷却系统；载体用于待溅射的材料，基本上为管形并可绕其纵轴线旋转；冷却系统在与设在载体之外的冷却装置相结合时适于使冷却介质在管形的载体中循环；该设备还包括用于连接供电回路的装置和用于使管形的可旋转的载体绕其纵轴线旋转的驱动装置。所述设备还提供磁系统，该磁系统沿纵轴线伸展用于对于设置在由待溅射的材料所制成的靶附近的等....  
发明人：F·富克斯;S·邦格特;R·林登伯格;H·格里姆;T·斯托莱;U·舒布勒代理人：苏娟;蔡民军代理机构：中国专利代理(香港)有限公司(72001)专利类型：发明专利
磁控溅射镀膜夹具及其使用方法
[地址]上海市800-211邮政信箱  [申请人]中国科学院上海光学精密机械研究所  [公开号]1587436  [国家省市]上海(31)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]  一种磁控溅射镀膜夹具及其使用方法，磁控溅射镀膜夹具包括一公转夹具，该公转夹具设有一圆形通孔，一连接杆具有外螺纹，该连接杆的下端连接一样品盘，该连接杆的上端穿过公转夹具的圆形通孔，再有与连接杆的外螺纹相配合的两螺母将连接杆固定在公转夹具上。利用本发明的夹具可连续调整靶距，按本发明方法磁控溅射制备的薄膜，可有效地控制膜层的结构取向，提高膜层均匀性。   
发明人：贺洪波;邵建达;范正修代理人：张泽纯代理机构：上海新天专利事务所(31213)专利类型：发明专利
溅射装置
[地址]日本东京  [申请人]柯尼卡美能达精密光学株式会社  [公开号]1611631  [国家省市]日本(JP)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]  提供一种能够高速形成高性能的光学薄膜的溅射装置。本发明的溅射装置９０的真空室２内具有圆筒状或平板状的至少两个靶材料６３、和使上述靶材料的外表面附近产生磁场的磁铁８０。其特征在于：设两个靶材料的外表面之间的间隔为ｄ１、设上述靶材料的外表面与衬底表面之间的间隔为ｄ２时，满足下式１，ｄ１≤３ｄ２（式１）。   
发明人：太田达男;中野智史;德弘节夫代理人：王以平代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)专利类型：发明专利
滚落式双阴极平面磁控溅射金属膜电阻镀膜装置
[地址]辽宁省锦州市解放路四段一号锦州市图书馆晏金辉转  [申请人]杨金波  [公开号]00000000  [国家省市]辽宁(21)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]  一种滚落式双阴极平面磁控溅射金属膜电阻镀膜电阻装置，包括主溅射室、密封门、滚筒式电阻基体传动送料装置和高真空抽气引出管，在电阻基体传动送料装置内壁上设有送料叶片，在电阻基体传动送料装置端部设有挡圈，在主溅射室内侧上方斜置有双阴极平面磁控溅射靶和屏蔽板，在主溅射室内对应双阴极平面磁控溅射靶的下方通过支撑杆斜置有电阻基体滚落槽，双阴极平面磁控溅射靶、屏蔽板和电阻基体滚落槽与主溅射室之....  
发明人：杨金波;杨晏祺代理人：李辉代理机构：(21225)专利类型：实用新型
扫描聚焦磁控溅射靶
[地址]北京市海淀区知春路52号院1号楼305室  [申请人]王有德  [公开号]00000000  [国家省市]北京(11)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]  一种扫描聚焦磁控溅射靶，所述的溅射靶有一个靶材１，主要特点是：在所述的靶材１的下侧依次设有冷却水罩３、磁钢２、磁钢座４、绝缘板５和固定座６，该扫描聚焦磁控溅射靶有一个屏蔽套７，该屏蔽套７包围在靶材１、冷却水罩３、磁钢座４、绝缘板５以及固定座６的外侧，所述的屏蔽套７的下边沿与所述的固定座６的外边沿连接。其突出的特点是扫描聚焦磁控溅射靶有一个扫描线圈８，该扫描线圈８设在屏蔽套７的外侧....  
发明人：王有德代理人：代理机构：专利类型：实用新型
高真空磁过滤弧源
[地址]辽宁省大连市甘井子区凌工路2号  [申请人]大连理工大学  [公开号]1459516  [国家省市]大连(91)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]  高真空磁过滤弧源属于等离子体和材料表面技术领域，包括弧源屏蔽１、阴极靶２、引弧磁体３、触发机构４、水冷阳极７、主弧电源１１、辅助阳极电源５、辅助阳极１０、磁场线圈６、离化阳极８和离化电源９，真空度为１０＃＋［－１］Ｐａ～１０＃＋［－３］Ｐａ量级，启动触发机构４产生金属弧斑，启动辅助阳极１０及电源５产生预备弧等离子体，启动主弧电源１１产生稳定的等离子体，在磁场线圈６产生的磁过滤磁场....  
发明人：李国卿;关秉羽;李剑锋;牟宗信代理人：卫茂才代理机构：(21226)专利类型：发明专利
用于制造低反射率薄膜的方法和设备
[地址]日本神奈川  [申请人]爱发科股份有限公司  [公开号]1492071  [国家省市]日本(JP)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]  通过优化布置在阴极背面的磁控管磁路的摆动速度与基体的移动速度之比，实现一用于以低成本和高的生产率水平制造低反射率薄膜的方法和设备。按照本发明的方法包括：通过分别布置在阴极背面的两个磁控管磁路装置，在布置在具有相同的电位的阴极上的靶的表面上产生闭环磁控管等离子；以及以不超过１／５０的相对于基体的移动速度的速度摆动布置在阴极背面的磁控管磁路，从而相应地沿靶的表面移动由于产生磁控管等离....  
发明人：太田淳;杉浦功;谷典明;清田淳也;小松孝;新井真代理人：刘志平代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)专利类型：发明专利
一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶
[地址]辽宁省沈阳市沈河区文化路72号  [申请人]中国科学院金属研究所  [公开号]1621559  [国家省市]沈阳(89)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]     
发明人：宫骏;肖金泉;孙超;华伟刚;刘山川;王启民;王铁钢;裴志亮;闻立时代理人：许宗富;周秀梅代理机构：中国科学院沈阳专利事务所(21002)专利类型：发明专利
用于生产复合薄膜的靶子相互面对的箱形溅射装置和方法
[地址]日本东京都  [申请人]F·T·S股份有限公司  [公开号]1576389  [国家省市]日本(JP)  [国际分类]C23C14/35  [摘要]  一种靶子相互面对的箱形溅射装置，能够在低温下形成高质量的复合薄膜，且对底层产生最小的损害。该装置包括溅射单元和真空室，该单元包括：矩形平行六面体框架，其中的一个面用作开口面，和一对相互面对的靶子单元，每个单元包括一个靶子和环绕靶子的磁场产生装置，该装置产生沿着垂直于靶子表面方向延伸的面对型磁场和沿着平行于靶子的表面延伸的磁电管型磁场，其中靶子单元被配置在位置与开口面相邻的框架的第....  
发明人：门仓贞夫;安福久直代理人：程伟;王初代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司(11245)专利类型：发明专利
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