- 晶片边缘刻蚀设备及方法
- [地址]韩国京畿道 [申请人]三星电子株式会社 [公开号]1595618 [国家省市]韩国(KR) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 一种用于刻蚀半导体晶片边缘的晶片边缘刻蚀设备和方法，包括布置在半导体晶片下面且作为支撑半导体晶片的载物台的底电极。一种刻蚀半导体晶片的方法，包括：将半导体晶片插入室中，增加室内的压力，将至少一种蚀刻剂气体供应到室，同时进一步增加压力，提供电源到室，并在半导体晶片的边缘圈或背面刻蚀半导体晶片，中止电源和蚀刻剂气体，用通风气体对室进行通风，以及从室净化通风气体。
- 发明人：崔昶源;金太龙;金宗范;徐廷宇;边昌柱代理人：林宇清;谢丽娜代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司(11219)专利类型：发明专利
- 强化抗腐蚀的制程组件
- [地址]美国加州 [申请人]应用材料有限公司 [公开号]1577765 [国家省市]美国(US) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 一种抗等离子体腐蚀的制程组件，其可以维持等离子体性质的空间均匀性、减少腔室中粒子的产生以及提高制程组件的寿命。一聚合物材料层覆盖住制程组件的上表面。而且此聚合物材料层是氟碳化物且不会与等离子体中的物质反应。此聚合物材料层不仅可保护制程组件免于累进的腐蚀，而且还可以避免腔室中粒子的产生。此聚合物材料层的介电常数系与制程组件的介电常数相似，因此可以维持靠近晶圆周围的等离子体性质的空间....
- 发明人：珍妮弗·Y·桑;亚娜达·H·库玛;太许山恩代理人：胡晶;王学强代理机构：北京集佳商标专利事务所(11227)专利类型：发明专利
- 等离子蚀刻机
- [地址]韩国京畿道 [申请人]三星电子株式会社 [公开号]1591792 [国家省市]韩国(KR) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 本发明提供了一种等离子蚀刻机，包括：箱体；上部等离子电极和下部等离子电极，设置在箱体的上部和下部；气体注入管，与箱体连接；多个扩散板，设置在上部等离子电极和气体注入管之间；电力发生器，向上部等离子电极和下部等离子电极施加电压，其中在上部等离子电极上形成多个喷射孔，在多个扩散板上形成多个辅助喷射孔。
- 发明人：崔熙焕;姜聖哲;金湘甲代理人：余刚;彭焱代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司(11240)专利类型：发明专利
- 等离子体蚀刻方法
- [地址]日本东京都 [申请人]东京毅力科创株式会社 [公开号]1595619 [国家省市]日本(JP) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在２００ｎｍ以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如ＳｉＯ＃－［２］膜的孔的条痕。使Ｃ＃－［４］Ｆ＃－［８］气体、Ｃ＃－［４］Ｆ＃－［６］气体和Ｃ＃－［５］Ｆ＃－［８］气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在０．１以上。
- 发明人：加藤和也;小野胜彦;水野秀树;小笠原正宏;北村彰规;小林典之;稻田靖;冈本晋代理人：龙淳;王雪燕代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司(11245)专利类型：发明专利
- 制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备
- [地址]韩国京畿道 [申请人]自适应等离子体技术株式会社 [公开号]1536625 [国家省市]韩国(KR) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备。等离子体刻蚀设备包括ＣＣＤ，光分量提取器，Ｋ值计量器，比较器，存储器，控制器，供气部件和定时器。等离子体刻蚀设备还包括：内部放置和刻蚀晶片的处理室；密封处理室上端的第一顶；绕在顶上给处理室产生电场的线圈；通过顶的预定部分设置的至少一个发光极尖，向晶片发光和接收由晶片反射的光；和多个喷嘴，每个喷嘴设置在发光极尖周围和通过顶的预定部分，以给处理室供给气体。
- 发明人：金南宪代理人：刘晓峰代理机构：中科专利商标代理有限责任公司(11021)专利类型：发明专利
- Si蚀刻方法及蚀刻装置
- [地址]日本东京都 [申请人]东京毅力科创株式会社 [公开号]1490849 [国家省市]日本(JP) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 本发明涉及在Ｓｉ蚀刻中可达到较高的长宽比和提高蚀刻速度的Ｓｉ蚀刻方法及蚀刻装置。它是通过由处理气体供给部（４２）将Ｃｌ＃－［２］／Ｏ＃－［２］／ＮＦ＃－［３］混合气体作为蚀刻气体导入腔室（１０）内，在以滞留时间为约１８０ｍｓｅｃ以上的条件下进行蚀刻处理。由第１高频电源（５８）将６０ＭＨｚ附近的高频以规定的功率施加到上部电极（３０），同时，由第２高频电源（６４）将２ＭＨｚ附近的高频....
- 发明人：斋田喜孝;山口雅司代理人：龙淳代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司(11245)专利类型：发明专利
- 蚀刻方法及蚀刻装置
- [地址]日本国东京都 [申请人]东京毅力科创株式会社 [公开号]1628375 [国家省市]日本(JP) [国际分类]H01L21/3065 [摘要]
- 发明人：胜沼隆幸代理人：龙淳;邸万杰代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司(11245)专利类型：发明专利
- 自适应等离子体表征系统
- [地址]美国纽约 [申请人]ENI技术公司 [公开号]1369902 [国家省市]美国(US) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 用模糊逻辑和神经网络表征等离子体工艺的自适应等离子体表征系统和方法，包括收集输入输出学习数据，输入学习数据基于与控制等离子体工作室的电功率有关的变量并从执行等离子体工艺得到。此方法还包括根据学习数据产生模糊逻辑输入输出隶属函数。此隶属函数能够估计等离子体工艺的输出参数值来表征等离子体工艺。基于神经网络学习算法和输出数据对隶属函数的修正提供了学习能力。于是，多种腐蚀工艺参数都能够以系统自主运行的方式被表征。
- 发明人：大卫·J·考缪代理人：王永刚代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)专利类型：发明专利
- 等离子体处理装置及等离子体处理方法
- [地址]日本国大阪府 [申请人]松下电器产业株式会社 [公开号]1380685 [国家省市]日本(JP) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 一种等离子体处理装置和使用该装置的等离子体处理方法，在气体供给过程中，在开闭气体供给路径的气体开关阀打开之前，由主控制部将流量设定指令信号设定为零流量，并向质量流量控制器输出，在气体开关阀为打开状态后，把流量设定指令信号设定为规定流量并输出，从而，能够解决在气体流入的初始状态，等离子体产生用气体一时供给过剩的问题。
- 发明人：岩井哲博;古川良太代理人：汪惠民代理机构：中科专利商标代理有限责任公司(11021)专利类型：发明专利
- 一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
- [地址]广东省广州市天河区石牌 [申请人]华南师范大学 [公开号]1378248 [国家省市]广州(81) [国际分类]H01L21/3065 [摘要] 本发明是紧凑感应耦合等离子体对干Ⅲ－Ⅴ族化合物的法刻蚀系统及刻蚀方法，属半导体生产设备及技术。该干法刻蚀系统由测量装置、射频ＲＦ偏置功率源、基片台、ＩＣＰ耦合天线、磁控线圈、ＲＦ电源、反应室、底座、配气装置、真空装置共同连接装配构成，其相互位置及连接关系为：将测量装置的探针插入到反应室中，将反应室放置于底座中，将ＩＣＰ耦合天线套在反应室上，磁控线圈放置于ＩＣＰ耦合天线的外面，反应....
- 发明人：陈俊芳;吴先球;赵智昊;符斯列;赵文峰代理人：李卫东代理机构：广东粤高专利事务所(44102)专利类型：发明专利
